[发明专利]位线多工器及位线多工系统

说明书

技术领域

本发明关于位线多工器及位线多工系统。

背景技术

参考图1，其显示只读存储器的系统方块示意图。只读存储器(Read Only Memory)11用以存储数据或程序等，其通常利用一行解码器12及一列解码器及多工器13读取数据或程序等。但因相邻的位线(bit line)会产生干扰，可能使读取的数据不正确。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，提供一种位线多工器及位线多工系统，以解决因列解码器及行解码器和多工器相邻位线产生的干扰信号，而导致只读存储器读取的数据不正确的问题。

本发明关于一种位线多工器，包括：一晶体管组、一选择晶体管、一第三晶体管及一第四晶体管。该晶体管组包括一第一晶体管及一第二晶体管，该第一晶体管及该第二晶体管串联连接，该第一晶体管的一栅极及该第二晶体管的一栅极连接，且连接至一位线。该选择晶体管连接该晶体管组，该选择晶体管的一栅极连接至一位选择线。该第三晶体管连接至该晶体管组。该第四晶体管连接该第三晶体管。

本发明关于一种位线多工系统，包括：多个开关及多个位线多工器。每个开关具有一第一端及一第二端，每个开关的该第一端连接至一位线。每个位线多工器包括：一晶体管组、一选择晶体管、一第三晶体管及一第四晶体管。该晶体管组包括一第一晶体管及一第二晶体管，该第一晶体管及该第二晶体管串联连接，该第一晶体管的一栅极及该第二晶体管的一栅极连接，且连接至该第二端。该选择晶体管连接该晶体管组，该选择晶体管的一栅极连接至一位选择线。该第三晶体管连接至该晶体管组。该第四晶体管连接该第三晶体管。

利用本发明位线多工器，位线的电位高于设定电位时，输出电压才会转态，使得低噪声的位线的电位，不会影响输出电压，以提高噪声干扰的免疫力。

附图说明

图1显示只读存储器的系统方块示意图；

图2显示本发明位线多工器的一实施例的电路示意图；

图3显示本发明图2位线多工器的一实施例的输入及输出关系示意图；

图4显示本发明位线多工器的一实施例的电路示意图；

图5显示本发明图4位线多工器的一实施例的输入及输出关系示意图；

图6显示本发明图2的位线多工器应用于只读存储器的电路示意图；

图7显示本发明位线多工器的一实施例的电路示意图；

图8显示本发明位线多工器的一实施例的电路示意图；及

图9显示本发明位线多工系统的一实施例的方块示意图。

主要元件符号说明

11  只读存储器          12  行解码器

13  列解码器及多工器    20  位线多工器

21  晶体管组            22  选择晶体管

23  第三晶体管          24  第四晶体管

25  第五晶体管          30  位线多工器

31  晶体管组            32  选择晶体管

33  第三晶体管          34  第四晶体管

35  第五晶体管          50  位线多工器

60  位线多工器          41  存储单元

42  节点                43  预充电晶体管

44  输出闩锁器          70  位线多工系统

71  开关                72  位线多工器

81  只读存储器          82  输出闩锁器

211 第一晶体管          212 第二晶体管

213 第一晶体管的栅极    214 第一晶体管的源极

215 第一晶体管的漏极    216 第二晶体管的栅极

217 第二晶体管的源极    218 第二晶体管的漏极

221 选择晶体管的栅极    222 选择晶体管的源极

223 选择晶体管的漏极    231 第三晶体管的栅极

232 第三晶体管的源极    233 第三晶体管的漏极

241 第四晶体管的栅极    242 第四晶体管的源极

243 第四晶体管的漏极    251 第五晶体管的栅极

252 第五晶体管的源极    253 第五晶体管的漏极