[发明专利]叠层结构的形成方法以及互连结构的形成方法

权利要求书

1.一种叠层结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成刻蚀停止层，且刻蚀停止层的材料中至少包括氮原子；

在所述刻蚀停止层表面形成过渡层，且形成过渡层的工艺的反应原材料包括硅源、氮源气体和氧源气体，其中，氮源气体流量从第一流量递减至零，氧源气体流量从零递增至第二流量；

在所述过渡层表面形成介质层，且所述介质层的材料中至少包括氧原子；

其中，所述氮源气体流量从第一流量递减至零，所述氧源气体流量从零递增至第二流量，使得所述过渡层与刻蚀停止层的交界界面处由于晶格失配带来的结构缺陷减少，且使得所述过渡层与介质层的交界界面处由于晶格失配带来的结构缺陷减少。

2.如权利要求1所述叠层结构的形成方法，其特征在于，采用沉积工艺形成所述过渡层，且沉积工艺的沉积时长分为第一时长、第二时长以及第三时长，其中，第一时长内氮源气体流量为第一流量、氧源气体流量为零，第二时长内氮源气体流量从第一流量递减至零、氧源气体流量从零递增至第二流量，第三时长内氮源气体流量为零、氧源气体流量为第二流量。

3.如权利要求2所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述第一时长和第三时长为零或其他非零时长。

4.如权利要求1或2所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述氮源气体的流量从第一流量递减至零的方式为：线性式递减、抛物线式递减或指数函数式递减，所述氧源气体的流量从零递增至第二流量的方式为：线性式递增、抛物线式递增或指数函数式递增。

5.如权利要求1所述叠层结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述过渡层，所述化学气相沉积工艺的工艺参数为：硅源流量为100sccm至2000sccm或者2g/m至10g/m，氮源气体流量从2000sccm递减至零，氧源气体流量从零递增至500sccm，沉积腔室压强为1托至10托，沉积腔室功率为100瓦至1000瓦，沉积腔室温度为250度至400度。

6.如权利要求5所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述硅源为含碳硅烷，含碳硅烷为甲基二乙氧基硅烷或八甲基环四硅氧烷中的一种或两种；所述氮源气体为NH₃或N₂中的一种或两种。

7.如权利要求1所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述过渡层为第一过渡层、第二过渡层以及第三过渡层的叠层结构，其中，第一过渡层的材料为掺碳氮化硅，第二过渡层的材料为掺碳氮氧化硅，第三过渡层的材料为掺碳氧化硅。

8.如权利要求1所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为掺碳氮化硅。

9.如权利要求8所述叠层结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述刻蚀停止层，化学气相沉积工艺的工艺参数为：反应气体包括硅烷气体、氮源气体和He，硅烷气体流量为200sccm至2000sccm，氮源气体流量为200sccm至1000sccm，He流量为500sccm至10000sccm，沉积腔室低频射频功率为0瓦至1000瓦，沉积腔室高频射频功率为500瓦至1500瓦，沉积腔室温度为200度至400度，沉积腔室压强为1托至20托。

10.如权利要求9所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述硅烷气体为三甲基硅烷或四甲基硅烷中的一种或两种，氮源气体为NH₃或N₂中的一种或两种。

11.如权利要求1所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅、低k介质材料或超低k介质材料。

12.如权利要求11所述叠层结构的形成方法，其特征在于，所述低k介质材料为掺氟玻璃或掺碳玻璃，所述超低k介质材料为多孔的SiCOH。