[发明专利]有源缓冲器拓扑有效

专利信息
申请号: 201410131020.2 申请日: 2014-04-02
公开(公告)号: CN104104224A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 李亭湖;何艺文;格拉尔多·埃斯科巴尔;乔纳森·布拉德肖 申请(专利权)人: ABB研究有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杜诚;陈炜
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 有源 缓冲器 拓扑
【权利要求书】:

1.一种有源缓冲器电路,包括:

第一对接点(A1)、第二对接点(B)和第三对接点(C);

第一连接点(D)和第二连接点(E);

第一二极管和第一电感器的串联连接,其连接在所述第一对接点(A1)与所述第一连接点(D)之间;

第二二极管,其连接在所述第二连接点(E)与所述第二对接点(B)之间;

第三二极管和第二电感器的串联连接,其连接在所述第三对接点(C)与所述第二连接点(E)之间;

开关装置,其连接在所述第一连接点(D)与所述第三对接点(C)之间;以及

第一电容器,其连接在所述第一连接点(D)与所述第二连接点(E)之间,

其中,

所述第一二极管、所述第二二极管以及所述第三二极管沿着所述第一对接点(A1)与所述第二对接点(B)之间并且通过所述第三对接点(C)的路径、在第一方向上正向偏置,并且

所述开关装置被配置成控制所述第一方向上的电流流动。

2.根据权利要求1所述的有源缓冲器电路,其中,所述开关装置具有反并联的第四二极管和并联的电容器。

3.根据权利要求1或2所述的有源缓冲器电路,其中,所述开关装置为包括体二极管的MOSFET。

4.根据前述权利要求中任一项所述的有源缓冲器电路,其中,所述第一电感器(Ls1)的电感为:

Ls1=2ΔQrrVout(1+Srr)Irr2]]>

其中,Irr为峰值反向恢复电流,Srr为主二极管的恢复系数,并且Qrr为所述二极管的反向恢复电荷。

5.根据前述权利要求中任一项所述的有源缓冲器电路,其中,所述第一电容器(Cs)的电容为:

Cs=Ls1vCds,Sa2(Iin+VoutCds,S)2-Cds,Sa]]>

其中,为辅助开关装置Sa的漏源电容器Cds,Sa两端的电压,电压是基于所述开关装置的额定电压来确定大小的。

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