[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

半导体基板；

第一隧穿层，其整个形成在所述半导体基板的表面上；

第一导电类型区域，其在所述半导体基板的所述表面上；以及

电极，其包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极，

其中，所述第一导电类型区域包括第一部分，该第一部分设置在所述第一隧穿层上并且包括利用第一导电类型的掺杂物掺杂的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层具有0.5nm至5nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅和本征多晶硅中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域的所述第一部分整个形成在所述第一隧穿层上。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层整个设置在所述半导体基板上。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域还包括第二部分，该第二部分设置在所述半导体基板的与所述第一隧穿层相邻的部分中，或者介于所述第一隧穿层与所述半导体基板之间。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第一部分和所述第二部分利用导电类型的掺杂物以不同的浓度来进行掺杂。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第一部分的掺杂浓度高于所述第二部分的掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一部分的与所述第一电极相邻的区域的掺杂浓度高于所述第一部分的与所述第一隧穿层相邻的区域的掺杂浓度。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述第一部分的掺杂浓度与所述第二部分的掺杂浓度之比为5至10。

11.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第一部分的厚度不同于所述第二部分的厚度。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度之比为10至50。

13.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第一隧穿层比所述第一部分和所述第二部分薄。

14.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第二部分包括通过利用所述第一导电类型的掺杂物对所述半导体基板进行掺杂而形成的掺杂区域。

15.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第一部分和所述第二部分的导电类型的掺杂物的材料是相同的。

16.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第一导电类型区域的所述第二部分整个形成在所述半导体基板上。

17.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

第二隧穿层，其整个形成在所述半导体基板的另一表面上；以及

第二导电类型区域，其在所述半导体基板的所述另一表面上，所述第二导电类型区域具有不同于所述第一导电类型区域的导电类型，

其中，所述电极还包括连接到所述第二导电类型区域的第二电极。

18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，所述第二导电类型区域还包括另一第一部分，该另一第一部分介于所述第二隧穿层与所述第二电极之间，并且包括利用第二导电类型的掺杂物掺杂的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。

19.根据权利要求18所述的太阳能电池，其中，所述第二导电类型区域还包括另一第二部分，该另一第二部分设置在所述半导体基板的与所述第二隧穿层相邻的部分中，或者介于所述第二隧穿层与所述半导体基板之间。

20.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板包括基极区域。