[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板有效
申请号: | 201410130738.X | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103928474B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 张家祥;郭建;陈旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的扫描线、数据线以及由所述扫描线和数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,所述像素单元内设置有薄膜晶体管、公共电极和像素电极,其中,所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极;其特征在于,所述阵列基板还包括:用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线;其中,
所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间;
所述太阳能电池结构设置在所述衬底基板和公共电极之间;
所述电源输出线与所述公共电极同层设置,并且与所述太阳能电池结构电连接,将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述发光结构包括:相对设置的阳极和阴极,以及设置在所述阳极与阴极之间的发光材料层;其中,所述阴极由位于所述发光结构的下方的公共电极来充当。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为底栅薄膜晶体管;其中,所述栅极与所述太阳能电池结构同层设置;所述栅绝缘层位于所述栅极和太阳能电池结构所在层的上方,覆盖所述栅极和所述太阳能电池结构。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述有源层上方、所述源极和漏极所在层下方的阻挡层。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡层中对应所述源极和漏极的位置分别设置有第一过孔和第二过孔;其中,所述源极通过所述第一过孔与所述有源层电连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层电连接;
所述阻挡层和栅绝缘层中对应所述电源输出线的位置设置有第三过孔,所述正电极通过所述第三过孔与所述电源输出线电连接。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为顶栅薄膜晶体管;其中,所述有源层与所述太阳能电池结构同层设置。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述源极和漏极所在层的上方、有源层的下方的阻挡层。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阻挡层中与所述源极和漏极相对应的位置分别设置有第一过孔和第二过孔;其中,所述源极通过所述第一过孔与有源层电连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层电连接;
所述阻挡层中与所述电源输出线相对应的位置设置有第四过孔,所述正电极通过所述第四过孔与所述电源输出线电连接。
9.如权利要求1~8任一权项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于薄膜晶体管上方的钝化层。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1~9任一权项所述的阵列基板。
11.一种阵列基板的制备方法,所述方法包括形成扫描线、数据线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管的步骤,形成薄膜晶体管的步骤包括形成栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层的步骤,所述公共电极、像素电极和薄膜晶体管均形成在由所述扫描线和所述数据线围成的多个像素区域内;其特征在于,所述方法还包括在衬底基板的上方形成用于提供背光源的发光结构、太阳能电池结构和电源输出线的步骤;其中,
所述发光结构设置在所述公共电极和像素电极之间;
所述太阳能电池结构设置在所述阵列基板和公共电极之间;
所述电源输出线与所述公共电极同层设置,并且与所述太阳能电池结构电连接,将所述太阳能电池结构产生的电能传输给外电路。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述发光结构包括:相对设置的阳极和阴极,以及设置在所述阳极与阴极之间的发光材料层;其中,所述阴极由位于所述发光结构的下方的公共电极来充当。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的