[发明专利]一种电镀模具密封结构有效

专利信息
申请号: 201410130148.7 申请日: 2014-04-02
公开(公告)号: CN103938234A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 曲悦峰 申请(专利权)人: 曲悦峰
主分类号: C25D5/02 分类号: C25D5/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518017 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电镀 模具 密封 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电镀模具密封结构。

背景技术

本技术适用于选择性电镀模具,应用于电子元件(IC,二极管,LED,三极管等)的引线框架,或是连接器端子局部镀金、镀银、镀锡的。引线框架及端子是金属材质(铜,铁或合金)的,呈带状卷料。选择性电镀是通过专用的电镀模具来控制镀区的位置,确保需要镀的地方能镀上,不需要镀的地方不要镀上。由于电镀溶液容易渗漏,镀区附近安装硅胶密封件(俗称胶粒),并在引线框架或端子背面压上硅胶掩模带,利用硅胶的弹性帮助密封水流。如附图1所示。胶粒在与镀区接触的位置有凸台。这样料片实际上不接触胶粒整个平面,而是仅仅接触凸台,这样压力就能集中在凸台上,帮助提高密封效果。

胶粒需要用胶粒模具注射成型,现有技术是在胶粒下模加工凹槽来形成上述凸台。缺点如下:

1.加工精度低:

胶粒下模的凹槽位于型腔最深处,因此铣刀必须很长,另外由于铣刀很长,其弹性也很大,加工过程中受材料侧壁的挤压容易歪斜,导致凸台位置不准确。而凸台位置必须位于镀区边缘,因此无法避免与侧壁的挤压。

2.加工工时长:

胶粒凸台宽度越窄,压力集中效果越好,因此铣刀直径必须小。通常使用直径0.5mm铣刀。由于铣刀又细又长,所以加工速度必须很慢,否则铣刀容易折断。这就导致了工时的延长。

另外,凸台外围的直角处会有溶液集聚,这个位置是不希望镀上的,也会镀上贵金属,由于溶液在这个位置流动性不好,因此镀上的亮度偏暗。造成贵金属浪费及色差。为了解决这个问题,通常会在胶粒凸台外围加工如附图3所示的斜面,但这个斜面在胶粒模上需要用平头铣刀逐圈扫描出来为使扫描面更精细更光滑,只能十倍甚至百倍地提高工时。

3.密封效果差:

由于使用更细的铣刀会进一步牺牲加工速度及精度,铣刀不能使用更细的,因此凸台宽度较宽,受压面积大,压力集中不好,密封效果差。

发明内容

为了克服现有技术的不足,本发明提供了一种电镀模具密封结构。本发明采用的方案是:

一种电镀模具密封结构,包括电镀模具本体,电镀模具本体上设有电镀区,电镀区边缘设有凹槽,凹槽内嵌设有胶粒,所述凹槽截面形状为L形,胶粒截面形状为与凹槽截面形状相同的L形,在胶粒截面的横直段靠近电镀区的末端底部设有凸台,凸台、胶粒截面的横直段底部和凹槽上表面之间具有缝隙,胶粒截面的横直段靠近电镀区的末端顶部为高出电镀模具上表面的尖角。

优选的,电镀模具上表面设有带料,带料背面设有掩模带。

优选的,电镀模具上设有陶瓷钉。

本发明的有益效果在于,在胶粒镀区周围的底部加工凸台。当胶粒安装并压紧在模具上时,由于胶粒是有弹性的,因此凸台会将镀区周围的平面顶高,形成尖角及外围的坡度。尖角面积极小,密封效果极佳,且坡度是极其精细和光滑的曲线,另外由于凸台密封效果好,可以做得非常浅,甚至产品压在上面可以将尖角及斜坡压平,使料与胶粒大平面完全贴合,完全没有容易积聚,因此对于改善色差及渗漏的效果是完美的。

在胶粒模具上的加工深度一般只有百分之几毫米,且加工位置为上下模的合模面,没有侧壁的挤压,可以使用直径0.2mm甚至更小的铣刀,铣刀的长度只需要0.1mm即可,因此铣刀的强度和刚性很好,铣刀变形小,精度高;可以用极快的速度加工,无需扫描斜面,通常铣刀只走一圈即可完成加工,工时是传统方式的十分之一甚至百分之一。

附图说明

图1为现有技术电镀模具密封结构示意图。

图2为现有技术胶粒截面的放大示意图。

图3为现有技术胶粒模具加工示意图。

图4为本发明电镀模具密封结构示意图。

图5为本发明胶粒截面的放大示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明。

电镀模具密封结构,包括电镀模具本体1,电镀模具本体上设有电镀区2,电镀区边缘设有凹槽3,凹槽内嵌设有胶粒4,所述凹槽截面形状为L形,胶粒截面形状为与凹槽截面形状相同的L形,在胶粒截面的横直段41靠近电镀区的末端底部设有凸台42,凸台、胶粒截面的横直段底部和凹槽上表面之间具有缝隙43,胶粒截面的横直段靠近电镀区的末端顶部为高出电镀模具上表面的尖角44。

电镀模具上表面设有带料5,带料背面设有掩模带6。

电镀模具上设有陶瓷钉7。

以上所述,仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进,均应包含在本发明技术方案的保护范围之内。

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