[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括设置于衬底内的浅沟槽，以及设置于所述浅沟槽内的隔离介质层，其特征在于，在相邻所述浅沟槽之间的衬底上形成突出于所述衬底上表面的突出部，所述突出部采用半导体材料形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述突出部沿与其相邻的浅沟槽的长度方向延伸，且所述突出部的长度等于与其相邻的浅沟槽的长度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述突出部的上表面的宽度小于下表面的宽度，优选所述突出部具有等腰梯形结构。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述突出部的下表面的宽度小于相邻所述浅沟槽之间衬底的宽度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述突出部位于相邻所述浅沟槽之间的衬底的中间位置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述突出部的材料与所述衬底的材料相同或不相同。

7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底内形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中形成上表面高于所述衬底上表面的隔离介质层；以及

在相邻的所述浅沟槽之间衬底的表面上形成突出于所述衬底上表面的突出部，所述突出部采用半导体材料形成。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述突出部通过外延工艺形成。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述突出部的步骤包括：

在各所述隔离介质层的相对设置的两侧形成侧壁层；

在相邻所述浅沟槽之间的衬底上，相对设置的所述侧壁层之间外延形成所述突出部；

去除所述侧壁层，形成所述突出部。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述形成侧壁层的步骤包括：

形成覆盖所述隔离介质层两侧及上方的侧壁预备层；以及

刻蚀去除所述隔离介质层上方的侧壁预备层，形成位于所述隔离介质预备层侧壁上的侧壁层。

11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔离介质层的步骤包括：

在形成所述突出部的步骤前，在所述浅沟槽中形成上表面高于所述衬底上表面的隔离介质预备层；

在形成所述突出部的步骤中，在所述隔离介质预备层的相对设置的两侧形成侧壁层，在去除所述侧壁层的步骤中，同时去除部分所述隔离介质预备层，形成所述隔离介质层。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成所述浅沟槽的步骤包括：

在所述衬底的表面形成具有通孔的掩膜层；以及

沿所述通孔刻蚀所述衬底，在衬底中形成浅沟槽。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔离介质预备层的步骤包括：

在所述通孔和浅沟槽内，以及在所述掩膜层上形成初级隔离介质预备层；

刻蚀去除位于所述掩膜层上面的所述初级隔离介质预备层，形成上表面与所述掩膜层上表面齐平的所述隔离介质预备层；

去除所述掩膜层。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在形成所述掩膜层的步骤之前，在所述衬底的表面形成粘附层，在去除所述侧壁层的同时去除剩余所述粘附层。

15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，

所述粘附层选自SiO₂、TaN和TiN中的一种或多种；

所述侧壁层选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种。