[发明专利]蒙脱土负载纳米Pd/Cu催化剂及其原位一锅法制备和应用有效

专利信息
申请号: 201410128789.9 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN103877995A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 高子伟;徐伟;于波;孙元龙;张莹;王振华;陈禧;杨金斗;张伟强 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: B01J23/89 分类号: B01J23/89;C07B37/04;C07C15/54;C07C2/88;C07C43/215;C07C41/30;C07C22/08;C07C17/266;C07C205/06;C07C201/12
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710062 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 蒙脱土 负载 纳米 pd cu 催化剂 及其 原位 一锅 法制 应用
【权利要求书】:

1.一种原位一锅法制备蒙脱土负载纳米Pd/Cu催化剂的方法,其特征在于:将蒙脱土、醋酸钯、硝酸铜、无水乙醇加入水热釜中,其中醋酸钯与无水乙醇、蒙脱土的质量比为0.01~0.03:8~15:1,醋酸钯与硝酸铜的摩尔比为1:1,搅拌均匀,超声1~2小时,密封水热釜,150~170℃反应16~24小时,冷却至常温,分离产物,常温真空干燥,得到蒙脱土负载纳米Pd/Cu催化剂。

2.根据权利要求1所述的原位一锅法制备蒙脱土负载纳米Pd/Cu催化剂的方法,其特征在于:所述的蒙脱土为钠基蒙脱土或钙基蒙脱土。

3.权利要求1或2制备的蒙脱土负载纳米Pd/Cu催化剂。

4.权利要求3的蒙脱土负载纳米Pd/Cu催化剂在催化碘代芳烃与端炔的Sonogashira交叉偶联反应中的用途。

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