[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201410127750.5 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN103943659B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 王东方;袁广才;孙宏达;刘威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,简称:AMOLED)面板被称为下一代显示技术,白光有机发光二极管(White Organic Light-Emitting Diode,简称:WOLED)和彩膜(Color Filter,简称:CF)技术作为AMOLED的一种重要的开发方向而备受关注,利用WOLED和CF技术制成的AMOLED显示基板具有有机电致发光(electroluminescence,简称:EL)材料利用率高、对蒸镀EL的掩膜板要求低以及采用顶发射的EL能提高开口率等优点。AMOLED显示基板的结构中,需要形成高度较高的隔垫物(Photo Spacer,简称:PS),并且需要在该隔垫物上形成辅助电极。
采用AMOLED显示基板的显示装置需要具有较大的盒厚(Cell Gap),为保证显示装置的盒厚,需要制成厚度较大的隔垫物。但是,厚度较大的隔垫物存在坡度角(Profile)较差的问题。
综上所述,由于厚度较大的隔垫物存在上述问题,因此通过提高隔垫物的厚度而提高盒厚的技术方案受到较大限制,从而导致显示装置的盒厚难以提高。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置,用于提高显示装置的盒厚。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板,包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的彩色矩阵图形和隔垫物,相邻的所述彩色矩阵图形的边缘交叠设置,所述隔垫物位于相邻的所述彩色矩阵图形的交叠部位的上方。
可选地,还包括:遮光层,所述遮光层与相邻的所述彩色矩阵图形的交叠部位层叠设置。
可选地,所述遮光层位于相邻的所述彩色矩阵图形的交叠部位之上,所述隔垫物位于所述遮光层之上。
可选地,相邻的所述彩色矩阵图形的交叠部位的纵截面的宽度大于所述遮光层的纵截面的宽度。
可选地,所述隔垫物的厚度包括3μm至6μm。
可选地,所述隔垫物纵截面的靠近所述遮光层一侧的宽度大于远离所述遮光层一侧的宽度。
可选地,所述遮光层的材料包括有机树脂或者金属。
可选地,还包括:辅助电极,所述辅助电极形成于所述彩色矩阵图形上且覆盖所述隔垫物。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示装置,包括:上述显示基板。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板的制造方法,包括:
在衬底基板上方形成彩色矩阵图形和隔垫物,相邻的所述彩色矩阵图形的边缘交叠设置,所述隔垫物位于相邻的所述彩色矩阵图形的交叠部位的上方。
可选地,还包括:形成遮光层,所述遮光层与相邻的所述彩色矩阵图形的交叠部位层叠设置。
可选地,所述形成遮光层包括:在相邻的彩色矩阵图形的交叠部位之上形成所述遮光层;
所述在衬底基板上方形成彩色矩阵图形和隔垫物包括:
在所述衬底基板上形成所述彩色矩阵图形;
在所述遮光层上形成隔垫物。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置的技术方案中,相邻的彩色矩阵图形的边缘交叠设置,隔垫物位于相邻的彩色矩阵图形的交叠部位的上方,降低了隔垫物的厚度,实现了通过设置厚度较小的隔垫物
而达到提高显示装置盒厚的目的,从而提高了显示装置的盒厚。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图;
图2a为实施例一中彩色矩阵图形和遮光层的结构示意图;
图2b为实施例一中隔垫物的一种具体结构示意图;
图3为本发明实施例三提供的一种显示基板的制造方法的流程图;
图4a为实施例三中形成彩色矩阵图形的示意图;
图4b为实施例三中形成遮光层的示意图;
图4c为实施例三中形成隔垫物的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明提供的显示基板及其制造方法和显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图,如图1所示,该显示基板包括:衬底基板11和位于衬底基板11上方的彩色矩阵图形和隔垫物13,相邻的彩色矩阵图形的边缘交叠设置,隔垫物13位于相邻的彩色矩阵图形的交叠部位的上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的