[发明专利]一种并联接触式RF MEMS开关无效
| 申请号： | 201410127355.7 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103972612A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杨俊民 | 申请（专利权）人： | 苏州锟恩电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/10 | 分类号： | H01P1/10;H01H59/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 并联 接触 rf mems 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：包括包括衬底，设于衬底上的CPW地线，与CPW地线连接的金属桥膜，在金属桥膜的下方设有下拉电极与CPW信号线，在CPW信号线上设有接触点。
2.如权利要求1所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：在CPW信号线的两侧，设有两个下拉电极。
3.如权利要求1所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述金属桥膜与接触点的材料为Au。
4.如权利要求1所述的一种并联接触式RF MEMS开关，其特征在于：所述衬底的材料BorofloatTM 玻璃。
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