[发明专利]一种气相吸附分离C8芳烃异构体的吸附剂及制备与应用

权利要求书

1.一种气相吸附分离C₈芳烃异构体的吸附剂，包括80～99.5质量％的吸附组分和0.5～20质量％的粘结剂，所述的吸附组分为NaMCM-22沸石、经硅改性的NaZSM-5或NaMCM-22沸石，所述的NaZSM-5的氧化硅与氧化铝摩尔比为350～800，所述的NaMCM-22沸石的氧化硅与氧化铝的摩尔比为40～100，硅改性所用的有机硅化合物选自八甲基环四硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚羟基硅氧烷，所述的聚二甲基硅氧烷或聚羟基硅氧烷的分子量为800～4000。

2.按照权利要求1所述的吸附剂，其特征在于所述的粘结剂为高岭土、膨润土、凹凸棒土、氧化铝、氧化镁、氧化锆、二氧化钛、氧化硼和二氧化硅中的至少一种。

3.按照权利要求1所述的吸附剂，其特征在于所述的吸附剂包括85～99.5质量％的吸附组分和0.5～15质量％的粘结剂。

4.按照权利要求1所述的吸附剂，其特征在于所述的聚二甲基硅氧烷或聚羟基硅氧烷的分子量为1000～3000。

5.按照权利要求1或4所述的吸附剂，其特征在于所述的聚羟基硅氧烷为聚甲基羟基硅氧烷。

6.一种权利要求1所述的吸附剂的制备方法，包括将NaMCM-22沸石与粘结剂混合成型后，干燥、焙烧，所述的NaMCM-22沸石的氧化硅与氧化铝摩尔比为40～100。

7.一种权利要求1所述吸附剂的制备方法，包括将NaMCM-22沸石或NaZSM-5与粘结剂混合成型，干燥、焙烧后用有机硅化合物浸渍，将浸渍后所得固体干燥，于200～600℃在空气气氛中焙烧，焙烧通入的空气体积空速为90～300h^-1，所述的有机硅化合物选自八甲基环四硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚羟基硅氧烷，所述的NaZSM-5的氧化硅与氧化铝摩尔比为350～800，所述的NaMCM-22沸石的氧化硅与氧化铝的摩尔比为40～100，所述的聚二甲基硅氧烷或聚羟基硅氧烷的分子量为800～4000。

8.按照权利要求6或7所述的方法，其特征在于成型后的焙烧温度为500～650℃。

9.按照权利要求7所述的方法，其特征在于所述的聚二甲基硅氧烷或聚羟基硅氧烷的分子量为1000～3000。

10.按照权利要求7所述的方法，其特征在于将用有机硅化合物浸渍后所得固体干燥，于200～300℃焙烧，再升温至450～600℃焙烧。

11.按照权利要求7所述的方法，其特征在于当用八甲基环四硅氧烷进行改性时，浸渍次数为2～3次，每次浸渍后所得固体均需在空气中焙烧。

12.按照权利要求7所述的方法，其特征在于当用聚二甲基硅氧烷或聚羟基硅氧烷进行改性时，浸渍次数为1～2次，每次浸渍后所得固体均需在空气中焙烧。

13.按照权利要求7、9或12所述的方法，其特征在于所述的聚羟基硅氧烷为聚甲基羟基硅氧烷。

14.一种气相吸附分离C₈芳烃异构体的方法，包括将C₈芳烃以气相状态通入装有权利要求1所述吸附剂的吸附床层，在170～330℃、0.4～1.3MPa的条件下吸附其中的对二甲苯和乙苯，或乙苯，得到含间二甲苯和邻二甲苯的吸余物，使用吹扫气吹扫吸附剂床层，将床层非选择性体积中的组分吹出作为中间组分，降压至0.1～0.3MPa，得到抽出物。

15.按照权利要求14所述的方法，其特征在于所述的吹扫气为氮气、氢气、二氧化碳、甲烷、乙烷、丙烷或氩气。

16.按照权利要求14所述的方法，其特征在于所用吹扫气为吸附床中非选择性体积的1～20倍。