[发明专利]双向可控硅控温座垫无效

专利信息
申请号: 201410127099.1 申请日: 2014-03-30
公开(公告)号: CN103874247A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 吴圣铎 申请(专利权)人: 吴圣铎
主分类号: H05B3/34 分类号: H05B3/34;A47C27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 双向 可控硅 座垫
【权利要求书】:

1.一种双向可控硅控温座垫,它包括220V交流电源、半波整流及12V稳压电路、双向可控硅触发电路、双向可控硅控制电路,其特征在于:

所述的双向可控硅触发电路由电阻R3、线性电位器RP、2只硅整流二极管D2~D3和三端可调分流基准电压源IC1组成,三端可调分流基准电压源IC1选用的型号为TL431,电阻R3一端接电路负极VCC,电阻R3另一端接三端可调分流基准电压源IC1参考极和线性电位器RP一端,线性电位器RP另一端及其活动端接电路地GND,2只硅整流二极管D2~D3串联后硅整流二极管D2负极接电路负极VCC,硅整流二极管D3正极接三端可调分流基准电压源IC1阳极;

所述的双向可控硅控制电路由双向可控硅BCR、电阻R2和电热布SGC组成,电阻R2一端接三端可调分流基准电压源IC1的阴极,电阻R2另一端接双向可控硅BCR控制极G,双向可控硅BCR第二阳极T2通过电热布SGC接220V交流电源火线端L,双向可控硅BCR第一阳极T1接电路地GND。

2.根据权利要求1所述的双向可控硅控温座垫,其特征是:半波整流及12V稳压电路由降压电容C1、泄放电阻R1、稳压二极管DW、硅整流二极管D1和电解电容C2组成,降压电容C1一端和泄放电阻R1一端接220V交流电源火线端L,降压电容C1另一端和泄放电阻R1另一端接硅整流二极管D1负极,硅整流二极管D1正极与稳压二极管DW正极及电解电容C2负极相连,稳压二极管DW负极和电解电容C2正极接电路地GND。

3.根据权利要求1所述的双向可控硅控温座垫,其特征是:12V稳压电路输出端负极与电路负极VCC相连,12V稳压电路输出端正极与220V交流电源零线端N及电路地GND相连。

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