[发明专利]互连介质层、其制作方法及包括其的互连层

权利要求书

1.一种互连介质层，由包含硅、氧和碳的材料组成，包括依次设置于半导体基材上的初始层和基体层，其特征在于，所述初始层包括由远离所述半导体基材方向设置的多层子初始层，且沿远离所述半导体基材方向，各层所述子初始层中氧元素的含量依次降低，碳元素的含量依次增加；各层所述子初始层中氧元素的含量依次降低6wt％～8wt％，碳元素的含量依次增加4wt％～6wt％。

2.根据权利要求1所述的互连介质层，其特征在于，所述初始层包括沿远离所述半导体基材方向设置的，

第一子初始层，其中氧元素的含量为34wt％～40wt％，碳元素的含量为40wt％～44wt％；

第二子初始层，其中氧元素的含量为26wt％～32wt％，碳元素的含量为45wt％～50wt％。

3.根据权利要求2所述的互连介质层，其特征在于，所述初始层还包括设置在所述第二子初始层设置的第三子初始层，所述第三子初始层中氧元素的含量为20wt％～24wt％，碳元素的含量为50wt％～54wt％。

4.根据权利要求1所述的互连介质层，其特征在于，所述初始层的厚度为所述基体层厚度的1/10～1/5。

5.根据权利要求1所述的互连介质层，其特征在于，各层所述子初始层的厚度为所述基体层的厚度的1/40～1/15。

6.一种互连介质层的制作方法，所述互连介质层由包含硅、氧和碳的材料组成，所述互连介质层的制作方法包括在半导体基材上依次形成初始层和基体层的步骤，其特征在于，形成所述初始层的步骤包括：由远离所述半导体基材方向上，形成氧元素的含量依次降低，碳元素的含量依次增加的多层子初始层；形成各层所述子初始层的步骤中，以由烃基和/或烃氧基取代的硅烷或硅氧烷，或者氢化硅氧烷为前驱气体，使其与氧气反应形成各所述子初始层，且通过调整所述前驱气体和氧气的比例形成氧元素的含量依次降低6wt％～8wt％，碳元素的含量依次增加4wt％～6wt％的各层所述子初始层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述初始层的步骤包括：

控制所述前驱气体的流量为0.3～0.5mg/min，所述氧气的流量为150～300sccm，所述反应的时间为1～3s，以形成氧元素的含量为34wt％～40wt％，碳元素的含量为40wt％～44wt％的第一子初始层；

控制所述前驱气体的流量为0.7～1.0mg/min，所述氧气的流量为50～100sccm，所述反应的时间为1～3s，以在所述第一子初始层上形成氧元素的含量为26wt％～32wt％，碳元素的含量为45wt％～50wt％第二子初始层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述初始层的步骤还包括：

控制所述前驱气体的流量为1.2～1.5mg/min，所述氧气的流量小于10sccm，所述反应的时间为5～15s，以在所述第二子初始层上形成氧元素的含量为20wt％～24wt％，碳元素的含量为50wt％～54wt％的第三子初始层。

9.一种互连层，包括设置于半导体基材上的互连介质层，设置于所述互连介质层中的通孔，以及设置于所述通孔中的金属层，其特征在于，所述互连介质层为权利要求1至5中任一项所述的互连介质层。