[发明专利]无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法

权利要求书

1.一种无关联塔差压热耦合提纯氯硅烷的方法，其特征在于，包括：

（1）将第一氯硅烷在第一精馏塔内进行第一精馏提纯，以便得到第一塔顶蒸汽和第一塔底液；

（2）将所述第一塔顶蒸汽在冷凝器内进行第一冷凝处理，以便得到第一氯硅烷冷凝液，以及将所述第一氯硅烷冷凝液的一部分返回至所述第一精馏塔内；

（3）将所述第一塔底液的一部分在第一再沸器内进行第一再沸处理，以便得到第一再沸蒸汽，并将所述第一再沸蒸汽返回至所述第一精馏塔内；

（4）将第二氯硅烷在第二精馏塔内进行第二精馏提纯，以便得到第二塔顶蒸汽和第二塔底液；

（5）将所述第二塔顶蒸汽返回至步骤（3）中用于所述第一再沸处理，以便得到第二氯硅烷冷凝液，以及将所述第二氯硅烷冷凝液的一部分返回至所述第二精馏塔内；以及

（6）将所述第二塔底液的一部分在第二再沸器内进行第二再沸处理，以便得到第二再沸蒸汽，并将所述第二再沸蒸汽返回至所述第二精馏塔内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用于所述第一冷凝处理的冷源的温度为32～42摄氏度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用于所述第二再沸处理的热源为150摄氏度的高温水，所述高温水为利用多晶硅还原工序的余热产生。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一精馏塔的塔顶温度不小于55摄氏度，所述第二精馏塔的塔顶温度不高于120摄氏度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一精馏塔内的压力为0.05～0.7MPa；所述第二精馏塔内的压力为0.3～1.2MPa。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一精馏塔的塔釜与第二精馏塔的塔顶温差为10～50摄氏度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一精馏塔内的塔顶与塔底的压差为0.01～0.1MPa；所述第二精馏塔内的塔顶与塔底的压差为0.01～0.1MPa。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氯硅烷和第二氯硅烷来自不同的氯硅烷供给装置。