[发明专利]一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201410125711.1 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103922869A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 严英占;唐小平;卢会湘;党元兰;赵飞;李攀峰;冯子卉;武云超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | C05G5/00 | 分类号： | C05G5/00 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单膜层 ltcc 内埋腔体 结构 制造 方法 | ||
1.一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法，所述的单膜层LTCC内埋腔体结构由自下而上的腔基底层（1）、腔壁层（2）和腔膜层（3）组成，其特征在于包括以下步骤：
（1）在腔壁层的对应位置冲制出腔体；
（2）应用叠片工艺对腔基底层和腔壁层进行层叠；
（3）将叠好的腔基底层和腔壁层进行第一次层压处理；
（4）单独对腔膜层对进行层压处理，此次层压的压强低于步骤（3）中的层压压强；
（5）将第一次层压后的腔基底层和腔壁层与进行层压处理后的腔膜层进行层叠；
（6）对步骤（5）制作的层叠基片进行层压处理；
（7）应用LTCC共烧炉对步骤（6）进行合体层压处理后层叠基片再进行共烧处理；
完成对单膜层LTCC内埋腔体结构的制造。
2.根据权利要求1所述的一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法，其特征在于：步骤（3）和步骤（4）中的层压处理均采用等静压技术。
3.根据权利要求1所述的一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法，其特征在于：步骤（6）中的层压处理均采用等轴压技术或者冷低压技术。
4.根据权利要求1所述的一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法，其特征在于：步骤（3）中的层压压强为3000psi至3500psi；步骤（4）中的层压压强为1500psi至2500psi。
5.根据权利要求1所述的一种用于单膜层LTCC内埋腔体结构的制造方法，其特征在于：步骤（6）中的层压压强与步骤（4）中的层压压强相同。
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