[发明专利]一种添加冗余图形的方法有效
| 申请号： | 201410125546.X | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103855044A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 倪晟;于世瑞;毛智彪;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 添加 冗余 图形 方法 | ||
1.一种添加冗余图形的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：将版图分割成若干相同尺寸的子区域，计算每个所述子区域的原始密度值；
步骤S02：将所述子区域分为若干组，其中，将所述原始密度值相同或相近的所述子区域分为一组；
步骤S03：选择要添加冗余图形的所述组；
步骤S04：根据所述原始密度值，初步计算每个所述组中的所述子区域要添加的冗余图形的尺寸；
步骤S05：设定一个缩放值，将同一个所述组中的所述子区域内部的各个图形均以所述缩放值进行缩放；
步骤S06：计算所述子区域缩放后的密度值；
步骤S07：计算所述子区域的所述原始密度值与所述缩放后的密度值之间的密度差；
步骤S08：根据所述密度差的绝对值来调整所述冗余图形的尺寸；其中，所述冗余图形的尺寸随所述密度差值的绝对值的增大而减小。
2.根据权利要求1所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，所述步骤S03具体包括：将0-100%的密度区间分为高、中、低三个密度区；其中，对于位于所述高密度区中的所述组，其中的子区域不用添加冗余图形；对于位于所述中、低密度区中的所述组，其中的子区域要添加冗余图形。
3.根据权利要求2所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，所述高密度区为70-100%的密度区间；所述中密度区为40-70%的密度区间；所述低密度区为0-40%的密度区间。
4.根据权利要求1所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，每个所述组的密度区间为5%-10%。
5.根据权利要求1所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，所述缩放为沿所述子区域内部的各个图形的边缘向外扩大或向内缩小一定的所述缩放值，利用所述缩放值计算缩放后的所述子区域的密度。
6.根据权利要求5所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，所述缩放值为1-300nm。
7.根据权利要求1所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，将版图分成若干矩形子区域。
8.根据权利要求7所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，所述矩形子区域的长为1-50um，宽为1～50um。
9.根据权利要求1所述的添加冗余图形的方法，其特征在于，所述步骤S08之后，还包括：对所述调整后的冗余图形进行设计规则检查。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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