[发明专利]可挠式显示面板及可挠式显示面板的制作方法有效
申请号: | 201410123072.5 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103928473A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 林博扬;柯聪盈 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠式 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种可挠式显示面板,具有一主动区以及一周边区环绕该主动区,其特征在于,该可挠式显示面板包括:
一阻障层,该阻障层具有一第一开口;
一可挠曲结构层,设置于该阻障层上,该可挠曲结构层填入该阻障层的该第一开口内;
一显示元件阵列,设置于该可挠曲结构层上并位于该主动区内;以及
一驱动芯片,设置于该可挠曲结构层上,该驱动芯片与该显示元件阵列电性连接,且该驱动芯片对应于该阻障层的该第一开口。
2.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该阻障层的材料包括金属、金属化合物或上述组合。
3.根据权利要求2所述的可挠式显示面板,其特征在于,该阻障层的金属包括金、银、铂、铜、钛、铝、铬、铅、铑、钼、钨、锌、锡或上述组合。
4.根据权利要求2所述的可挠式显示面板,其特征在于,该阻障层的金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物或上述组合。
5.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,该可挠曲结构层的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚原冰烯、聚醚亚酰胺、聚苯并咪唑、聚苯并恶唑,、聚对苯二甲酰对苯二胺或上述组合。
6.根据权利要求1所述的可挠式显示面板,其特征在于,另包括一对位图案,设置于该可挠曲结构层上,其中该阻障层另包括一第二开口,且该对位图案对应于该阻障层的该第二开口。
7.一种可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一承载基板,该承载基板包括至少一子板区,该至少一子板区具有一主动区以及一周边区,且该周边区环绕该主动区;
于该承载基板的一表面上形成一第一有机层;
于该第一有机层的一表面上形成一离型层,其中该离型层具有至少一第一开口,且该至少一第一开口暴露出该至少一子板区的该周边区内的该第一有机层的一部分表面;
于该离型层的一表面上形成一第二有机层,其中该离型层与该第一有机层之间形成一第一接口,该第二有机层经由该至少一第一开口与该第一有机层的该部分表面之间形成一第二接口,且该第一界面的一离型力大于该第二界面的一离型力;
于该第二有机层上形成至少一显示元件阵列,其中该至少一显示元件阵列位于该至少一子板区的该主动区内;
进行一切割工艺,由该至少一子板区的该周边区切割该第二有机层以及该离型层,以使该至少一子板区内的该第二有机层与该离型层自该第一有机层的该表面分离,以形成至少一可挠式显示面板。
8.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,该承载基板包括一玻璃基板。
9.根据权利要求8所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,形成该第一有机层的方法包括对该玻璃基板的该表面进行一改质工艺。
10.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,该第一有机层的材料包括氟烷基衍生物。
11.根据权利要求10所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,该第一有机层的材料包括氟烷基硅烷。
12.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,该离型层的材料包括金属、金属化合物或上述组合。
13.根据权利要求12所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,该离型层的金属包括金、银、铂、铜、钛、铝、铬、铅、铑、钼、钨、锌、锡或上述组合。
14.根据权利要求12所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,该离型层的金属化合物包括金属氧化物、金属氮化物或上述组合。
15.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,该第二有机层的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚原冰烯、聚醚亚酰胺、聚苯并咪唑、聚苯并恶唑、聚对苯二甲酰对苯二胺或上述组合。
16.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,另包括于该切割工艺之前,先于该第二有机层上形成至少一驱动芯片,该至少一驱动芯片与该至少一显示元件阵列电性连接,且该至少一驱动芯片对应于该离型层的该至少一第一开口。
17.根据权利要求7所述的可挠式显示面板的制作方法,其特征在于,另包括于该第二有机层上形成至少一对位图案,其中该离型层另包括至少一第二开口,且该至少一对位图案对应于该离型层的该至少一第二开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的