[发明专利]一种纳米碳酸钙合成插层蒙脱土复合无机物的制备方法无效
申请号: | 201410122601.X | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN103881424A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 王少会 | 申请(专利权)人: | 华东交通大学 |
主分类号: | C09C1/42 | 分类号: | C09C1/42;C09C3/08;C09C3/06;C08K9/04;C08K3/34;C08K3/26;C08L23/12 |
代理公司: | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人: | 姚伯川 |
地址: | 330013 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 碳酸钙 合成 插层蒙脱土 复合 无机物 制备 方法 | ||
1.一种纳米碳酸钙合成插层蒙脱土复合无机物的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)有机插层:取适量蒙脱土经去离子水配成15%~25%的悬浮液,温度控制在30~50℃,超声搅拌1~2h,加入一定量的有机插层剂十六烷基三甲基溴化铵,升温至70~80℃,继续超声搅拌2~4h,得到稳定的悬浮体系;
(2)纳米碳酸钙插层:将一定量CaCl2溶液以均匀的速度添加到步骤(1)得到的稳定悬浮液中,搅拌,温度控制在30℃~50℃,添加时间4h,同时以1L/h的流量通入CO2 气体4~8h,陈化12h,得浆料,离心、过滤、得到滤饼;
(3)焙烧:将步骤(2)中所得滤饼,打碎后放入通有CO2 气体的马弗炉中焙烧,焙烧温度180~250℃,焙烧时间2h~4h,冷却出料,玛瑙研磨,即可得到纳米碳酸钙插层蒙脱土复合材料。
2.如权利1要求所述的一种纳米碳酸钙合成插层蒙脱土复合无机物的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中所述蒙脱土为钙基蒙脱土,阳离子交换容量为100mg/100g左右,粒径为50~100微米;十六烷基三甲基溴化铵用量是蒙脱土用量重量的1~3%。
3.如权利1要求所述的一种纳米碳酸钙合成插层蒙脱土复合无机物的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中所述CaCl2溶液浓度为15~25%,用量为蒙脱土悬浮液体积的1.5~2倍。
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