[发明专利]一种纳米Cr3C2晶须的制备方法

权利要求书

1.一种纳米Cr₃C₂晶须的制备方法，其特征在于：制备步骤如下，

1）以重铬酸铵、碳质还原剂、卤化剂作为原料，首先将上述原料置于适量蒸馏水中，并搅拌均匀制得前驱体溶液；以三种原料总质量50份计，重铬酸铵为22.72-33.38份，碳质还原剂为14.81-25.15份，卤化剂为0.25-5份；

2）将该前驱体溶液置于鼓风干燥箱中，在60-120℃条件下干燥1-5h，得到蓬松的前驱体混合料；

3）将该前驱体混合料置于反应炉中，在Ar气或真空条件下，从室温升温至700~900℃并保温0.5～2h进行碳热反应，得到未提纯的纳米Cr₃C₂晶须；

4）将未提纯的纳米Cr₃C₂晶须在空气中于500-600℃灼烧2-8h脱碳，然后在HF溶液中脱除Cr₂O₃，最后洗涤干燥制得晶须直径小于100nm的纳米Cr₃C₂晶须。

2.根据权利要求1所述的纳米Cr₃C₂晶须的制备方法，其特征在于：所述碳质还原剂为葡萄糖和蔗糖的一种。

3.根据权利要求1所述的纳米Cr₃C₂晶须的制备方法，其特征在于：所述卤化剂为氯化钠、氯化钾、氯化钙、氯化钡、氯化锂中的一种或者任意两种混合物。

4. 根据权利要求1所述的纳米Cr₃C₂晶须的制备方法，其特征在于：所述反应炉为碳管炉、管式炉、感应炉、真空烧结炉中的一种。