[发明专利]用于射频无源件和天线的方法、设备和材料有效
申请号: | 201410121564.0 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104078451B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | V.K.奈尔;胡川;S.M.利夫;L.E.莫斯利 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/29 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 柯广华,汤春龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 射频 无源 天线 方法 设备 材料 | ||
1.一种半导体封装,包括:
衬底,所述衬底配置用于电气连接到系统板;
连接到所述衬底的合成磁性层,其中所述磁性层由环氧树脂中固化的磁性纳米粒子形成;以及
在所述磁性层上面的天线。
2.如权利要求1所述的封装,进一步包括半导体电路管芯,并且其中所述天线利用延伸通过所述磁性层的通孔耦合到所述管芯。
3.如权利要求2所述的封装,其中所述管芯在所述天线的对侧连接到所述衬底,并且其中所述天线通过在所述衬底中形成的通孔耦合到所述电路。
4.如权利要求1、2或3所述的封装,进一步包括封装盖,并且其中所述磁性层被丝网印刷在所述封装盖上面。
5.如权利要求4所述的封装,其中所述封装盖由模塑化合物形成。
6.如权利要求1所述的封装,进一步包括封装盖,并且其中所述磁性层在所述衬底上,并且所述封装盖在所述衬底、所述磁性层和所述天线上面形成。
7.如权利要求1所述的封装,其中所述天线由镀铜形成。
8.如权利要求1所述的封装,其中所述磁性纳米粒子是钝化的。
9.如权利要求8所述的封装,其中所述纳米粒子在固化的同时使用磁场来对准。
10.如权利要求8所述的封装,其中所述磁性纳米粒子包括涂敷了钝化硅烷的二氧化硅粒子。
11.如权利要求1所述的封装,其中所述磁性层包括聚合物接合剂。
12.一种电子组件,包括:
合成磁性纳米复合材料,其具有对准的磁畴;
嵌入在所述纳米复合材料内的导体;以及
接触盘,所述接触盘延伸通过所述纳米复合材料以连接到所述导体。
13.如权利要求12所述的电子组件,其中所述导体是铜条,并且其中所述接触盘各在所述铜条的相对端以形成电感器。
14.如权利要求13所述的电子组件,其中所述铜条是线状的,以形成单匝电感器。
15.如权利要求12、13或14所述的电子组件,进一步包括:衬底,所述衬底用于承载所述纳米复合材料;以及所述导体和介电壁,所述导体和介电壁用于隔离并包含所述纳米复合材料。
16.一种方法,包括:
将磁性纳米复合材料施加到具有衬底的封装上,所述纳米复合材料在环氧树脂中具有磁性纳米粒子;
对准所述磁性纳米粒子的磁场;
固化所述树脂以保持所述磁性纳米粒子的对准;
将导电路径施加到所述纳米复合材料;以及
形成到所述导电路径的连接器以使电子装置完整。
17.如权利要求16所述的方法,其中所述导电路径是单匝电感器线圈。
18.如权利要求16或17所述的方法,其中对准所述磁场包括:加热所述环氧树脂,施加磁场,以及允许所述树脂在所施加的磁场下固化。
19.如权利要求16或17所述的方法,其中所述磁性纳米粒子被钝化并且涂敷了二氧化硅。
20.如权利要求19所述的方法,其中所述磁性纳米粒子用硅烷化合物来进行表面处理。
21.如权利要求20所述的方法,其中所述树脂是有机热固化树脂。
22.如权利要求16所述的方法,进一步包括:在所述纳米复合材料上形成天线,以及将所述天线连接到所述连接器。
23.如权利要求16所述的方法,进一步包括:在所述衬底上面形成盖,其中施加所述纳米复合材料包括在所述盖上面施加所述材料,并且在所述纳米复合材料上面形成天线。
24.一种合成磁性纳米复合材料,包括:
多个磁性纳米粒子;以及
有机热固化树脂,
其中所述磁性纳米粒子在被固化的同时使用磁场来对准。
25.如权利要求24所述的材料,其中所述磁性纳米粒子被钝化,涂敷二氧化硅,用硅烷化合物来进行表面处理,填充所述树脂超过80个体积百分比。
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