[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其至少包括一具有第一表面的基板以及形成于所述第一表面上的栅电极，所述栅电极至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于所述第一表面，所述第二功能层形成于所述第一功能层上，所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管还包括形成在所述栅电极之上的一绝缘层以及形成于所述绝缘层之上的有源层、源电极和漏电极，所述源电极、漏电极分别至少包括一第四功能层和第五功能层，所述第四功能层形成于所述有源层之上，并部分覆盖所述有源层，所述第五功能层形成于所述第四功能层上并完全覆盖所述第四功能层，制成所述第四功能层的材料与制成所述第一功能层的材料相同，制成所述第五功能层的材料与制成所述第二功能层的材料相同。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：第一功能层和第二功能层中均包含有同一种导电元素。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述同一种导电元素为铜，所述第二功能层由金属铜制成，所述第一功能层由铜的复合金属氧化物制成。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述栅电极还包括一第三功能层，所述第三功能层形成于所述第二功能层之上，并完全覆盖所述第一功能层和第二功能层；所述源电极和漏电极还包括一第六功能层，所述第六功能层形成于所述第五功能层上，并完全覆盖所述第四功能层和第五功能层，所述第三功能层和所述第六功能层均至少由具有保护性能的材料制成。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第三功能层和所述第六功能层均为铜合金构成，所述第三功能层、所述第六功能层的膜厚范围均为300-500埃。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述铜合金和铜的复合金属氧化物中至少包含一种耐腐蚀金属，所述第一功能层的膜厚范围为300-500埃，所述第二功能层的膜厚范围为800-1400埃。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述铜合金或铜的复合金属氧化物中，还包括镍，且所述铜的比例为50%至95%，所述镍的比例为49%至4%。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，其至少包括如下步骤：

提供一至少具有一第一表面的基板；

在所述第一表面上形成一栅电极层，所述栅电极至少包括一第一功能层和第二功能层，所述第一功能层形成于所述第一表面，所述第二功能层形成于所述第一功能层上；所述第一功能层至少由具有良好结合性能的材料构成，所述第二功能层至少由具有良好导电性能的材料制成，且所述第二功能层的厚度至少大于所述第一功能层的厚度。

10.如权利要求9所述薄膜晶体管制作方法，其特征在于：还包括在所述栅电极上形成一绝缘层、有源层、源电极和漏电极的步骤，所述源电极、漏电极分别至少包括一第四功能层和第五功能层，所述第四功能层形成于所述有源层之上，并部分覆盖所述有源层，所述第五功能层形成于所述第四功能层上并完全覆盖所述第四功能层，制成所述第四功能层的材料与制成所述第一功能层的材料相同，制成所述第五功能层的材料与制成所述第二功能层的材料相同；还包括在所述第一表面上形成公共电极、扫描线和数据线的步骤，制成所述公共电极、扫描线和数据线的材料与所述栅极的材料相同。