[发明专利]半导体设备及其制造方法有效
申请号: | 201410120966.9 | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN103872062A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示设备,包括:
绝缘层,在扫描线和信号线之间并且在所述扫描线与所述信号线的交叉部分中,其中所述绝缘层不是晶体管的栅极绝缘层,
其中所述绝缘层与所述交叉部分中的所述扫描线的顶表面相接触,
其中所述绝缘层的宽度比所述扫描线的宽度窄,
其中所述扫描线由与所述晶体管的栅极电极相同材料的层形成,以及
其中所述信号线由与所述晶体管的源极电极或漏极电极相同材料的层形成。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述绝缘层是抗蚀剂掩模。
3.一种显示设备,包括:
绝缘层,在扫描线和信号线之间并且在所述扫描线与所述信号线的交叉部分中,其中所述绝缘层不是晶体管的栅极绝缘层,
其中所述绝缘层与所述交叉部分中的所述扫描线的顶表面和侧表面相接触,
其中所述扫描线由与所述晶体管的栅极电极相同材料的层形成,以及
其中所述信号线由与所述晶体管的源极电极或漏极电极相同材料的层形成。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中所述绝缘层包括有机材料。
5.一种显示设备,包括:
绝缘层,在扫描线和信号线之间并且在所述扫描线与所述信号线的交叉部分中,其中所述绝缘层不是晶体管的栅极绝缘层,
其中所述绝缘层与所述交叉部分中的所述扫描线的顶表面相接触,
其中所述绝缘层包括选自由以下组成的组中的一种:硅氧化物、硅氧氮化物、硅氮化物、硅氮氧化物、氧化铝以及氧化钽,
其中所述扫描线由与所述晶体管的栅极电极相同材料的层形成,以及
其中所述信号线由与所述晶体管的源极电极或漏极电极相同材料的层形成。
6.根据权利要求1、3以及5中的任一项所述的显示设备,
其中所述晶体管包括与所述栅极电极重叠的半导体层,以及
其中所述半导体层包括氧化物半导体材料。
7.根据权利要求1、3以及5中的任一项所述的显示设备,其中所述显示设备被并入到选自由以下组成的组中的一个:电子书阅读器、电视机、数字相框、娱乐游戏机和移动电话。
8.一种显示设备,包括:
包括栅极电极的第一布线;
在所述第一布线之上的抗蚀剂掩模;
在所述栅极电极之上的半导体层;
包括源极电极的第二布线;以及
像素电极,
其中所述源极电极与所述半导体层电连接,
其中所述像素电极与所述半导体层电连接,以及
其中所述抗蚀剂掩模被设置在所述第一布线与所述第二布线之间并且在所述第一布线与所述第二布线的交叉部分中。
9.一种显示设备,包括:
包括栅极电极的第一布线;
在所述第一布线之上的抗蚀剂掩模;
在所述第一布线和所述抗蚀剂掩模之上的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层之上的半导体层;
包括源极电极的第二布线;以及
像素电极,
其中所述源极电极与所述半导体层电连接,
其中所述像素电极与所述半导体层电连接,以及
其中所述抗蚀剂掩模与所述栅极绝缘层被设置在所述第一布线与所述第二布线之间并且在所述第一布线与所述第二布线的交叉部分中。
10.一种显示设备,包括:
包括栅极电极的第一布线;
在所述第一布线之上的抗蚀剂掩模;
在所述第一布线和所述抗蚀剂掩模之上的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层之上的半导体层;
包括源极电极的第二布线;
在所述第二布线之上的透明导电层;以及
像素电极,
其中所述源极电极与所述半导体层电连接,
其中所述像素电极与所述半导体层电连接,以及
其中所述抗蚀剂掩模与所述栅极绝缘层被设置在所述第一布线与所述第二布线之间并且在所述第一布线与所述第二布线的交叉部分中。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述像素电极由与所述透明导电层相同的材料构成。
12.根据权利要求8、9以及10中的任一项所述的显示设备,其中所述半导体层包括氧化物半导体材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的