[发明专利]一种低成本氮化硅蜂窝陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种低成本的氮化硅蜂窝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：

1）制备具有平行孔道的蜂窝坯体并干燥；

2）对干燥后的坯体进行有机物的排除；

3）煅烧蜂窝坯体，得到基体部分颗粒结合紧密，孔洞内壁伸展有晶须的氮化硅蜂窝陶瓷；

所述步骤1）是以硅粉为原料，以氮化硅粉体为晶种和稀释剂，加入助烧剂、分散剂、成型介质、去离子水混合后，制备具有平行孔道的氮化硅蜂窝坯体。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中具有平行孔道的蜂窝坯体采用挤出成型法制备，或，步骤1）中蜂窝坯体采用干压法、凝胶注模成型法或直接凝固成型法先制备出素坯，然后采用机械成孔法制得具有平行孔道的蜂窝坯体。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）所述硅粉粒径1000目～3000目，氮化硅粉体粒径0.5μm～3μm，硅粉与氮化硅粉体的质量百分比范围在100:0～45。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述助烧剂为氧化铝粉和氧化钇粉体，氧化铝粉粒径0.3μm～5.0μm，添加量为总粉体的4-8wt%；氧化钇粒径为0.1μm～5.0μm，添加量为总粉体的10-16wt%。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中干燥是室温阴干或40～60℃烘干，保持蜂窝孔道的平行结构。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2）对干燥后的坯体进行有机物的排除温度为500～800℃，时间为0.5～3h。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3）是将蜂窝坯体置于氮化炉中煅烧，在流动气氛或封闭气氛中进行氮化反应，煅烧温度为1300～1450℃，时间为0.5～3h。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述氮化炉为硅钼棒加热体的管式炉。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述的气氛为以下气体或混合气体中的一种：氮气，氨气，氮气和氢气，氮气和氩气。

10.权利要求1～9任一所述方法制备得到的氮化硅蜂窝陶瓷。