[发明专利]选择性地去除氮化硅的方法及其单晶圆蚀刻装置

权利要求书

1.一种选择性地去除氮化硅的方法，包括：

提供在晶圆的表面上具有氮化硅的所述晶圆，其中，所述晶圆进一步具有二氧化硅；

提供磷酸和含硅材料的混合物；以及

将具有大于等于100℃并且小于120℃的温度的所述混合物传送至所述晶圆的表面以去除所述氮化硅；

其中，基于所述混合物的重量，所述混合物的硅浓度低于200ppm。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在将所述混合物传送至所述晶圆的表面之前，将所述混合物加热到预定温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述磷酸和所述含硅材料的所述混合物包括：

供应所述磷酸和所述含硅材料；以及

混合所述磷酸和所述含硅材料以形成所述混合物。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括在混合所述磷酸和所述含硅材料之前，将所述磷酸预加热到预定温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过将所述混合物喷射在所述晶圆的表面上来实施将所述混合物传送至所述晶圆的表面的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在将所述混合物传送至所述晶圆的表面之后，将所述混合物分布在所述晶圆的表面上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述混合物的重量，所述混合物的硅浓度低于120ppm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅材料是有机硅烷、有机硅氧烷、胶体氧化硅、电解硅或它们的组合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅材料是四乙氧基硅烷(TEOS)。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅材料是二氧化硅粉末。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆具有氮化硅层。