[发明专利]一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法在审
| 申请号： | 201410119928.1 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103943458A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 仲东来;张志勇;彭练矛;王胜 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 纳米 阵列 金属性 方法 | ||
1.一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，包括以下步骤：
1）在基底上制备碳纳米管阵列；
2）在生长好碳纳米管阵列的基底上制作源漏电极，制作源漏电极的金属为可以和半导体碳纳米管形成肖特基接触的金属；
3）使用恒压源或者周期性电源给源漏电极加电压，烧断金属性碳纳米管；
4）去除源漏电极。
2.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤1）中，所述基底为有晶格取向的基底，包括石英和蓝宝石。
3.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤2）中，制作源漏电极的金属包括Ti、Al、Cu、Cr、Ca；所述肖特基接触为对称接触或非对称接触；所述源漏电极的沟道长度为2-30μm。
4.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤3）中，使用恒压源给源漏电极所加电压为5V/μm以上，通电5分钟以上。
5.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤3）中，还包括给源漏电极加电压的同时对碳纳米管阵列施以微波，辅助烧断金属性碳纳米管。
6.如权利要求5所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，所述微波的微波频率为2-3GHz。
7.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤3）中，还包括通电之前在基底上蒸镀一层TPPA并加热基底，使用周期性电源在源漏电极之间加上依次从8V/μm上升到14V/μm的电压，烧开金属性碳纳米管上的TPPA；刻蚀掉未被TPPA保护的金属性碳纳米管后去掉TPPA残胶。
8.如权利要求7所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，加热基底的温度为60-100℃。
9.如权利要求7所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，使用干法刻蚀刻蚀掉未被TPPA保护的金属性碳纳米管，反应气体为O2/CF41:1混合，刻蚀时间为25-30s；使用有机溶剂或者高温法去掉TPPA残胶。
10.如权利要求1所述的去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，其特征在于，步骤4）中，使用KI/I2溶液溶解源漏电极。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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