[发明专利]一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法

权利要求书

1.一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，其特征在于，包括基体材料层（1）以及分别生长在基体材料层（1）上下表面的上金属层（2）和下金属层（3），所述上金属层（2）由绝缘隔离层分离成各自独立的第一正极电极（4）、第二正极电极（5）和负极电极（6），且所述第一正极电极（4）用于给半导体激光器（7）的脊形波导区提供工作时所需的电信号，所述第二正极电极（5）用于给半导体激光器（7）的锥形增益区提供工作时所需的电信号，所述负极电极（6）连接半导体激光器（7）的n面电极。

2.根据权利要求1所述的热沉，其特征在于，所述基体材料层（1）采用的材料是氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、氧化锆陶瓷、金刚石、碳化硅、氧化铍或氮化硼中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的热沉，其特征在于，所述基体材料层（1）的厚度为0.8mm—1mm。

4.根据权利要求1所述的热沉，其特征在于，所述上金属层（2）和所述下金属层（3）采用的材料均为金、钛金、钛铂金或金锗镍金中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的热沉，其特征在于，所述第一正极电极（4）通过焊料层（8）与所述半导体激光器（7）的脊形波导区连接，且所述第二正极电极（5）通过焊料层（8）与所述半导体激光器（7）的锥形增益区连接。

6.根据权利要求1所述的热沉，其特征在于，所述负极电极（6）通过键合金线（9）连接所述半导体激光器（7）的n面电极。

7.一种制作如权利要求1-6中任一所述的热沉的方法，其特征在于，包括：

步骤1，制备基体材料层（1），并在基体材料层（1）的上下表面分别生长上金属层（2）和下金属层（3）；

步骤2，制备绝缘隔离槽，通过绝缘隔离槽将上金属层（2）分离成各自独立的第一正极电极（4）、第二正极电极（5）和负极电极（6）；

步骤3，在第一正极电极（4）和第二正极电极（5）上镀焊料层（8），使第一正极电极（4）通过焊料层（8）与半导体激光器（7）的脊形波导区连接，使第二正极电极（4）通过焊料层（8）与半导体激光器（7）的锥形放大区连接；

步骤4，键合金线（9），使负极电极（6）通过金线（9）连接所述半导体激光器（7）的n面电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤1中，上金属层（2）和下金属层（3）通过溅射技术、热蒸发技术、电子束蒸发技术或离子辅助电子束蒸发技术生长在所述基体材料层（1）的表面。

9.根据权利要求1所述的热沉，其特征在于，所述步骤1中采用氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、氧化锆陶瓷、金刚石、碳化硅、氧化铍或氮化硼制备基体材料层（1），且制备的基体材料层（1）的厚度为0.8mm—1mm；所述步骤1中采用金、钛金、钛铂金或金锗镍金制作所述上金属层（2）和所述下金属层（3）。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤2中，绝缘隔离槽、第一正极电极（4）、第二正极电极（5）和负极电极（6）的尺寸要保证封装后的半导体激光器（7）的出光面与制作的热沉的边缘严格对齐。