[发明专利]一种显示面板及其封装方法、显示装置在审
申请号: | 201410118169.7 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103943657A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 王伟;孙中元;马凯葓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 封装 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其封装方法、显示装置。
背景技术
有机发光二级管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示面板由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点,已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
其中,OLED包括金属阳极、金属阴极和发光层,金属阳极和金属阴极共同作用驱动发光层发光。而发明人发现,OLED发光层中的多数有机物质对大气中的污染物、氧气及水汽都十分敏感,同时,大气中的水汽还会对金属阴极造成电化学腐蚀,严重影响了OLED显示面板的使用寿命。因此,必须通过OLED显示面板的封装保证显示面板内部良好的密封性,以延长OLED显示面板的工作寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种显示面板及其封装方法、显示装置,能够通过OLED显示面板的封装保证显示面板内部良好的密封性,延长OLED显示面板的工作寿命。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
本发明第一方面提供了一种显示面板,包括第一基板、与所述第一基板对盒的第二基板,所述第一基板设置有至少一个中心点相同的环形突起,所述至少一个环形突起由玻璃料形成,所述第二基板设置有配合环形突起的封装带,所述封装带包括至少一个环形凹槽,环形凹槽的个数小于或等于环形突起的个数。
环形突起的截面为梯形。
环形突起的梯形的长底边的长度为480-980微米,高度为180-380微米。
环形凹槽的截面为梯形。
环形凹槽的梯形的长底边的长度为500-1000微米,高度为200-400微米。
环形凹槽的底面为粗糙面。
在本发明实施例的技术方案中,提供了一种显示面板,该显示面板包括具有环形突起的第一基板,在对盒时,第一基板上的环形突起与第二基板上的环形凹槽配合,相对于不具有环形突起与环形凹槽的基板来说,可有效地增强第一基板和第二基板对盒之后的密封性,延长对盒后空气和水接触到第一基板和第二基板之间的OLED发光层的时间,进而延长了OLED显示面板的工作寿命。
本发明第二方面提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明第三方面提供了一种上述显示面板的封装方法,包括:
在第一基板上利用玻璃料形成至少一个中心点相同的环形突起;
在第二基板上形成配合所述至少一个环形突起的封装带,所述封装带包括至少一个环形凹槽,环形凹槽的个数小于或等于环形突起的个数;
在环形凹槽中涂覆固化胶,将所述第一基板和所述第二基板进行对位压合,环形突起对位放置于环形凹槽中;
固化环形凹槽中的固化胶。
环形突起的截面为梯形。
环形突起的梯形的长底边的长度为480-980微米,高度为180-380微米。
环形凹槽的截面为梯形。
环形凹槽的梯形的长底边的长度为500-1000微米,高度为200-400微米。
环形凹槽的底面为粗糙面。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的第一基板的平面示意图;
图2为本发明实施例中的第一基板的结构示意图;
图3为本发明实施例中的第二基板的平面示意图;
图4为本发明实施例中的第二基板的结构示意图;
图5为本发明实施例中的第一基板和第二基板的配合示意图一;
图6为本发明实施例中的第一基板和第二基板的配合示意图二;
图7为本发明实施例中的第一基板和第二基板的配合示意图三;
图8为本发明实施例中的第一基板和第二基板的配合示意图四;
图9为本发明实施例中的显示面板的封装方法的流程图。
附图标记说明:
1—第一基板; 11—环状突起; 2—第二基板;
21—封装带; 211—环状凹槽; 22—凹槽。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的