[发明专利]一种用于半导体刻蚀设备的温度控制系统及方法

权利要求书

1.一种用于半导体刻蚀设备中的温度控制系统，所述半导体刻蚀设备包括传输机台、至少一个反应腔体部件、前端接口和至少一个装载口，所述装载口包括负载状态传感器，其特征在于，所述系统包括：

冷却装置，包括与所述反应腔体部件数量相等的管路、压缩机和泵；其中，所述压缩机内部的冷媒与来自管道中的冷却剂进行热交换，用泵将冷却剂再通过管道分别打入所述反应腔体部件中进行热交换；

流量控制单元，包括流量传感器、流量控制阀和热传感器，所述流量传感器装在所述冷却装置的出口端并侦测流出端口的流量；所述流量控制阀根据所述热传感器检测和流量传感器的检测结果来执行并保证所述反应腔体对温度的需求；

节能控制单元，接收并根据所述传输机台端的装置口上的装置负荷状态传感器的信号，通过流量控制单元控制所述泵的转速工作在相应的装置负荷状态。

2.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述装置负荷状态为两种，一种为保持最低需求状态，另一种为满负荷运转状态；其中，所述最低需求状态为任何一个所述装载口均没有晶圆盒载入，所述满负荷运转状态为具有任意一个或多个所述装载口有晶圆盒载入。

3.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，每个所述管路中包括两个热传感器，一个位于所述反应腔体部件的冷却剂输入端，另一个位于所述反应腔体部件的冷却剂输出端。

4.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述流量控制单元和节能控制单元由上位机+下位机架构构成；其中，下位机为可编程控制器。

5.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，流量传感器和流量控制阀为流量计。

6.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述半导体刻蚀设备为半导体干刻设备。

7.一种采用权利要求1所述系统的温度控制方法，所述半导体刻蚀设备包括传输机台、至少一个反应腔体部件、前端接口和至少一个装载口，所述装载口包括负载状态传感器，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1：所述节能控制单元接收所述传输机台端的装置口上的装置负荷状态传感器的信号；

步骤S2：所述流量控制单元接收装置负荷状态传感器信号，并通过流量控制单元控制所述泵的转速工作在相应的装置负荷状态。

8.如权利要求7所述的温度控制方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：步骤S21：所述流量控制单元接收装置负荷状态传感器信号为传输机台闲置状态时，控制所述泵的转速保持在最低需求运行状态，否则，执行步骤S22；步骤S22：控制所述泵全速运行。