[发明专利]用于半导体制造的氧化炉保温桶及氧化方法

权利要求书

1.一种用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：其包括底座、固定于底座上的限位柱、数片鳍片，该限位柱包括至少三根设于底座边缘并限位该鳍片边缘的支柱和/或至少一根设于底座上并穿过该鳍片上预设的孔的支柱，该鳍片被限位柱阻挡以防止掉落并平行层叠于底座上，该鳍片的上表面和/或下表面具有数个等高的凸出部，以与上下相邻的鳍片形成固定间隙。

2.根据权利要求1所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该限位柱为至少三根支柱且任意两根与底座中心点连线的夹角均小于180°。

3.根据权利要求2所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该限位柱为均匀分布于底座边缘的四根支柱。

4.根据权利要求3所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该鳍片边缘平均分布有四个凹槽，该四根支柱的设置位置与四个凹槽相对应，以限位鳍片。

5.根据权利要求1所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该限位柱包括一根设于底座中心位置的支柱和/或至少两根设于底座边缘位置以内的支柱。

6.根据权利要求1至5任一项所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该鳍片的上表面或下表面中的一个面具有至少三个凸出部，且任意两个凸出部与鳍片中心点连线的夹角均小于180°，以使鳍片平稳层叠放置。

7.根据权利要求6所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该鳍片边缘与氧化炉内壁相抵贴。

8.根据权利要求6所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该支柱上具有固定件，并向下抵贴最上方的鳍片以在纵向方向上限位鳍片。

9.根据权利要求6所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该鳍片为1-20片，且为石英片，该鳍片之间的间隙为10-20mm。

10.根据权利要求9所述的用于半导体制造的氧化炉保温桶，其特征在于：该鳍片中具有至少由两片鳍片焊接而成的鳍片组，该鳍片组中鳍片之间的间隙为10-20mm。

11.一种利用权利要求1所述氧化炉保温桶氧化硅片的方法，其包括以下步骤：

a.预设第一温度和第二温度，并根据该第一温度或/和第二温度确定保温桶内鳍片的数量，在该第一温度下，通入氢气和氧气，对硅片进行湿氧工艺30-60分钟；

b.继续通入氢气和氧气，进行湿氧工艺20-30分钟，并从该第一温度升温至的第二温度；

c.在该第二温度下，通入氢气和氧气，进行湿氧工艺60-120分钟；

d.在该第二温度下，通入氮气吹扫硅片。

12.根据权利要求11所述的氧化硅片的方法，其特征在于：若该第二温度在400-600℃之间，则保温桶内鳍片数量调整为10-15片；若该第一温度在600-1000℃之间，则保温桶内鳍片数量调整为15-20片。

13.根据权利要求11或12所述的氧化硅片的方法，其特征在于：步骤a、b和c中通入氢气和氧气的流量分别为5500-6500SLM和4000-5000SLM，步骤d中通入氮气的流量为9000-11000SLM，该第一温度与第二温度的温差为50-150℃，本方法中氧化炉工艺门和炉体底部冷却水流量为2-3L/min。