[发明专利]形成膜层图案的方法有效
申请号: | 201410116809.0 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103887217B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 李一帆 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 图案 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种形成膜层图案的方法。
背景技术
随着显示面板的分辨率的提升,显示面板中的薄膜晶体管的尺寸越做越小。此时,若显示面板各膜层图案间的对位稍有偏差,则会导致薄膜晶体管的电性异常,进而造成各种无法预期的异常问题。
在公知形成膜层图案的方法中,均是以第一膜层图案的第一对位记号为基准形成后续多个膜层图案的。然而,以目前制造机台的对位能力而言,制造机台仅能将任二膜层图案间的对位偏移量控制在±1微米以内。这样一来,若形成第二膜层图案时是以第一膜层图案的第一对位记号为基准,则第一膜层图案与第二膜层图案之间的对位偏移量可能为1微米。若形成第三膜层图案时仍是以第一膜层图案的第一对位记号为基准,则第一膜层图案与第三膜层图案之间的对位偏移量可能为为-1微米。此时,第二膜层图案与第三膜层图案之间的对位偏移量已高达2微米,进而造成显示面板的各种异常问题。
发明内容
本发明提供一种形成膜层图案的方法,其可提高各膜层间的对位精度。
具有第一对位记号的第一膜层图案、具有第二对位记号的第二膜层图案、第三膜层以及用以图案化第三膜层且具有第一罩幕对位记号的第一罩幕图案依序堆栈在基板上。本发明的形成膜层图案的方法包括下列步骤:
(1) 利用第一对位记号与第二对位记号量测出第一膜层图案与第二膜层图案之间的第一偏移值D1。
(2) 利用第一偏移值D1计算出第一虚拟原点值O1。
(3) 利用第二对位记号与第一罩幕对位记号量测出第二膜层图案与用以图案化第三膜层的第一罩幕图案之间的第二偏移值D2。
(4) 利用第一虚拟原点值O1与第二偏移值D2计算出第一罩幕图案与第一虚拟原点之间的第三偏移值D3。
(5) 判断第三偏移值D3是否在规格值的范围内,若第三偏移值D3在规格值的范围内则进行下列步骤(6)。若第三偏移值D3不在规格值的范围内则进行下列步骤(7)-(9)。
步骤(6)为:利用第一罩幕图案图案化第三膜层,以形成具有一第三对位记号的一第三膜层图案。
步骤(7)为:去除第一罩幕图案。
步骤(8)为:利用第三偏移值D3做为第一补正值,以重新形成用以图案化第三膜层的第一罩幕图案。
步骤(9)为:重复步骤(3)-(5)、(7)-(8)中的至少步骤(3)-(5),直到判断第三偏移值D3在规格值的范围内。
在本发明的一实施例中,在上述的步骤(2)中还包括:利用公式 ,计算出第一虚拟原点值O1。
在本发明的一实施例中,上述的步骤(4)为:利用公式,计算出第三偏移值D3。
在本发明的一实施例中,在上述的步骤(5)中当第三偏移值D3在规格值的范围内。形成膜层图案的方法还包括:
步骤(10):去除第一罩幕图案。
步骤(11):在第三膜层图案上形成第四膜层。
步骤(12):利用第二对位标记与第三对位标记量测出第二膜层图案与第三膜层图案之间的第四偏移值D4。
步骤(13):利用第一偏移值D1以及第四偏移值D4计算出第二虚拟原点值O2。
步骤(14):在第四膜层上形成用以图案化第四膜层的第二罩幕图案。第二罩幕图案具有第二罩幕对位记号。
步骤(15):利用第一对位标记与第二罩幕对位记号量测出第一膜层图案与第二罩幕图案之间的第五偏移值D5。
步骤(16):利用第五偏移值D5与第二虚拟原点值O2计算出第二罩幕图案与第二虚拟原点之间的第六偏移值D6。
步骤(17):判断第六偏移值是否在规格值的范围内,若第六偏移值D6在规格值的范围内则进行下列步骤(18),若第六偏移值D6不在规格值的范围内则进行下列步骤(19)-(21)。
步骤(18):利用第二罩幕图案图案化第四膜层,以形成具有第四对位记号的第四膜层图案。
步骤(19):去除第二罩幕图案。
步骤(20)利用第六偏移值D6做为第二补正值,以进行步骤(14)。
步骤(21):重复步骤(15)-(17)、(19)-(20)中的至少步骤(15)-(17),直到判断第六偏移值D6在规格值的范围内。
在本发明的一实施例中,上述的步骤(13)为:利用公式,计算出第二虚拟原点值O2。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造