[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；

覆盖所述化合物半导体堆叠结构的钝化膜；

在所述化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及

含Si-C键的膜，所述含Si-C键的膜包含Si-C键并且包括在所述源电极和所述漏电极之间的部分，所述钝化膜形成在所述含Si-C键的膜上方，以及所述部分沿厚度方向在所述栅电极的在所述漏电极一侧的端部与所述化合物半导体堆叠结构之间并且与所述化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分接触，其中

所述化合物半导体堆叠结构含镓原子，并且

所述化合物半导体堆叠结构中的所述镓原子经由氧原子而与所述含Si-C键的膜中的硅原子键合。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，

所述钝化膜含硅原子，并且

所述钝化膜中的所述硅原子经由氧原子而与所述含Si-C键的膜中的硅原子键合。

3.一种化合物半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上的氮化物的化合物半导体堆叠结构；

覆盖所述化合物半导体堆叠结构的钝化膜；

在所述化合物半导体堆叠结构上方的水平处的栅电极、源电极和漏电极；以及

含Si-C键的膜，所述含Si-C键的膜包含Si-C键并且包括在所述源电极和所述漏电极之间的部分，所述钝化膜形成在所述含Si-C键的膜上方，以及所述部分沿厚度方向在所述栅电极的在所述漏电极一侧的端部与所述化合物半导体堆叠结构之间并且与所述化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分接触，其中

所述钝化膜含硅原子，并且

所述钝化膜中的所述硅原子经由氧原子而与所述含Si-C键的膜中的硅原子键合。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中，所述含Si-C键的膜电绝缘于所述栅电极或所述漏电极或者所述栅电极和所述漏电极两者。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，包括连接到所述源电极并且延伸到所述栅电极与所述漏电极之间的场板，

其中，所述含Si-C键的膜包括沿厚度方向在所述场板的所述漏电极一侧的端部与所述化合物半导体堆叠结构之间的部分。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中，所述含Si-C键的膜包含甲基或羟基。

7.一种电源设备，包括：

根据权利要求1至6中任一项所述的化合物半导体器件。

8.一种放大器，包括：

根据权利要求1至6中任一项所述的化合物半导体器件。

9.一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底之上形成氮化物的化合物半导体堆叠结构；

形成覆盖所述化合物半导体堆叠结构的钝化膜；

在所述化合物半导体堆叠结构上方的水平处形成栅电极、源电极和漏电极；以及

形成含Si-C键的膜，所述含Si-C键的膜包含Si-C键并且包括所述源电极和所述漏电极之间的部分，所述钝化膜形成在所述含Si-C键的膜上方，所述部分沿厚度方向在所述栅电极的在所述漏电极一侧的端部与所述化合物半导体堆叠结构之间并且与所述化合物半导体堆叠结构的上表面的至少一部分接触，其中

所述形成含Si-C键的膜包括：

施加化学合成旋涂玻璃试剂；以及

固化所述化学合成旋涂玻璃试剂。

10.根据权利要求9所述的方法，包括形成连接到所述源电极并且延伸到所述栅电极与所述漏电极之间的场板，

其中，所述含Si-C键的膜包括沿厚度方向在所述场板的所述漏电极一侧的端部与所述化合物半导体堆叠结构之间的部分。

11.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，其中，

所述化合物半导体堆叠结构包含镓原子，并且

所述化合物半导体堆叠结构中的所述镓原子经由氧原子与所述含Si-C键的膜中的硅原子键合。

12.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，其中，

所述钝化膜含硅原子，并且，

所述钝化膜中的所述硅原子经由氧原子而与所述含Si-C键的膜中的硅原子键合。

13.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，其中，所述含Si-C键的膜电绝缘于所述栅电极或所述漏电极或者所述栅电极和所述漏电极两者。