[发明专利]一种MEMS压阻谐振器

权利要求书

1.一种MEMS压阻谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

至少一对输入电极，形成在所述衬底上，用于为振子提供交流电压信号，以使所述振子振动；

输入偏置电压电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，用于为所述振子提供直流偏置电压信号，以使得响应所述交流电压信号所导致的振子的电阻变化而产生的感测电流流经所述振子；

输出电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，并与所述输入偏置电压电极相对设置，用于响应所述感测电流，从而输出频率信号；

第一锚结构，用于将所述振子支撑于输入偏置电压电极上并将直流偏置电压信号传送到振子；

第二锚结构，用于将所述振子支撑于输出电极上并将所述感测电流传送到输出电极；

振子，设置于所述输入电极之间，并且通过第一锚结构和第二锚结构悬置于所述衬底上方，其中所述振子包括：流过所述感测电流的第一区域以及不流过所述感测电流的第二区域。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述第一区域、所述第一锚结构和所述第二锚结构的材质为掺杂单晶硅，其中，所述第一锚结构和第二锚结构的掺杂浓度相同，且高于所述第一区域的掺杂浓度，所述第二区域的材质为不掺杂的单晶硅。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述掺杂单晶硅的掺杂类型为n型掺杂或p型掺杂。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，当所述掺杂类型为n型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的<100>晶向；或

当所述掺杂类型为p型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的<110>晶向。

5.根据权利要求1-4任一项所述的谐振器，其特征在于，所述振子还包括挖空区域，所述挖空区域位于所述第一区域和第二区域之间。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其特征在于，所述挖空区域的形状为长方形、多边形、圆形、椭圆形、跑道形状或扇形。

7.根据权利要求5所述的谐振器，其特征在于，所述振子呈对称结构，其中所述挖空区域为一对对称的挖空区域，所述第二区域位于所述对称的挖空区域之间，所述第一区域与所述对称的挖空区域配对设置。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其特征在于，所述振子还包括不流过感测电流的第三区域，所述第三区域位于所述流过感测电流的第一区域和挖空区域之间。

9.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述振子的尺寸范围为10nm-3000μm，厚度为10nm-90μm。

10.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，当所述输入电极为多对时，所述输入电极在所述振子的侧面呈周向均匀分布。