[发明专利]自带温度反馈高集成度覆晶COB光源及其制造方法

权利要求书

1.一种自带温度反馈高集成度覆晶COB光源的制造方法，其特征在于，包括以下几个步骤：

步骤一，在陶瓷基板上划分出发光面区域，利用自动固晶机将芯片固定于陶瓷基板的发光面区域上，再用共晶机将芯片以金锡共晶焊方式共晶于陶瓷基板上形成混联电路；

步骤二，将完成共晶后的陶瓷基板的发光面区域的周边围上围坝胶；

步骤三，在围坝胶形成的挡墙内的陶瓷基板的发光面区域内均匀的涂覆荧光胶体；

步骤四，将陶瓷基板、热敏电阻及接插件通过回流焊的方式全部一次性焊接在预先设计好电路的高导热金属基板上；

步骤五，在发光面区域边缘外的高导热金属基板基板上涂覆导热耐温粘接胶；

步骤六，将高透光低反率玻璃贴于陶瓷基板的发光面区域的正上方；

该COB光源正常点亮工作时，芯片产生的热量，由陶瓷基板传导至高导热金属基板之上，高导热金属基板均温后传导致散热器，同时热敏电阻将均温基板上的温度采样反馈至超温保护电路对工作状态的温度实时监控；当灯具之外散热器散热不良导致光源温度超正常工作温度，热敏电阻取样并反馈至驱动电路，降低驱动输出电流，以保护LED光源。

2.根据权利要求1所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源的制造方法，其特征在于，所述混联电路为七串七并的矩阵结构。

3.根据权利要求1所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源的制造方法，其特征在于，在所述步骤二中涉及的荧光胶体是由硅胶和荧光粉以1：1.5的比例充分混合制造而成的。

4.根据权利要求1所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源的制造方法，其特征在于，在所述步骤一中，陶瓷基板上的发光面区域的面积为85.75平方毫米；在所述步骤六中涉及的高透光低反率玻璃，形状为正方形，其面积为207.36平方毫米。

5.根据权利要求1所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源的制造方法，其特征在于，所述高导热金属基板为铜基板；所述陶瓷基板具体为氮化铝陶瓷基板。

6.一种自带温度反馈高集成度覆晶COB光源，其特征在于，包括热敏电阻、陶瓷基板、倒装芯片、围坝胶、荧光粉胶层、高导热金属基板、粘结胶层和高透光低反率玻璃；所述倒装芯片固定在陶瓷基板的发光面区域上，所述围坝胶固定在倒装芯片四周，所述荧光粉胶层涂覆于倒装芯片的上表面，所述粘结胶层固定在陶瓷基板上的围坝胶的四周，所述高透光低反率玻璃粘贴在粘结胶层上；

所述高导热金属基板上设有陶瓷基板固定位和电路，所述陶瓷基板粘贴固定在陶瓷基板固定位内，所述电路与高导热金属基板电连接；所述热敏电阻固定在高导热金属基板上，热敏电阻与电路电连接；

该COB光源正常点亮工作时，芯片产生的热量，由陶瓷基板传导至高导热金属基板之上，高导热金属基板均温后传导致散热器，同时热敏电阻将均温基板上的温度采样反馈至超温保护电路对工作状态的温度实时监控；当灯具之外散热器散热不良导致光源温度超正常工作温度，热敏电阻取样并反馈至驱动电路，降低驱动输出电流，以保护LED光源。

7.根据权利要求6所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源，其特征在于，该自带温度反馈高集成度覆晶COB光源还包括2PIN插头、2PIN插座和跳线；所述2PIN插头和2PIN插座分别与高导热金属基板的电路电连接；所述2PIN插座与高导热金属基板之间电连接热敏电阻；所述陶瓷基板的通过跳线与高导热金属基板的电路电连接。

8.根据权利要求6所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源，其特征在于，所述倒装芯片为七串七并的矩阵结构。

9.根据权利要求6所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源，其特征在于，所述高透光低反率玻璃的面积为207.36平方毫米，所述陶瓷基板上的发光面区域的面积为85.75平方毫米。

10.根据权利要求6所述的自带温度反馈高集成度覆晶COB光源，其特征在于，所述高导热金属基板为铜基板；所述陶瓷基板具体为氮化铝陶瓷基板。