[发明专利]一种接合晶圆及其制备方法有效
| 申请号: | 201410114959.8 | 申请日: | 2014-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN104952810B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
| 发明(设计)人: | 侯元琨;游宽结;华宇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 接合 及其 制备 方法 | ||
1.一种接合晶圆,所述接合晶圆的边缘设置有若干垫片区域,所述接合晶圆的边缘仅所述垫片区域中不形成图案,用于放置在晶圆接合之后可抽离的垫片,以避免所述接合晶圆在研磨过程中发生碎裂现象。
2.根据权利要求1所述的接合晶圆,其特征在于,在所述接合晶圆的边缘除所述垫片区域以外均设置有金属图案,接合后在所述接合晶圆的边缘形成支撑结构。
3.根据权利要求1所述的接合晶圆,其特征在于,所述接合晶圆包括顶部接合晶圆和底部接合晶圆,其中所述顶部接合晶圆和所述底部接合晶圆的边缘均设置有所述垫片区域,且上下相互对应。
4.根据权利要求3所述的接合晶圆,其特征在于,所述垫片放置于所述顶部接合晶圆的所述垫片区域和所述底部接合晶圆的所述垫片区域形成的空腔内。
5.根据权利要求1所述的接合晶圆,其特征在于,所述若干垫片区域均匀的分布在所述接合晶圆的边缘上。
6.根据权利要求1所述的接合晶圆,其特征在于,所述垫片区域的表面为氧化物层。
7.根据权利要求1所述的接合晶圆,其特征在于,所述垫片选用不锈钢的垫片。
8.一种权利要求1至7之一所述接合晶圆的制备方法,包括:
提供晶圆;
在所述晶圆上形成光罩;
曝光显影,以在所述光罩上除所述垫片区域以外的区域形成目标图案;
以掩膜层为掩膜蚀刻所述晶圆,以在所述晶圆上形成所述目标图案和所述垫片区域。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述晶圆上形成与所述晶圆大小为1:1的所述光罩。
10.一种半导体器件,所述半导体器件包括权利要求1至7之一所述的接合晶圆。
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