[发明专利]基于原生PCIe接口的SSD控制器及其控制方法有效
| 申请号: | 201410113750.X | 申请日: | 2014-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN103885909B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
| 发明(设计)人: | 周华良;王凯;甘云华;张吉;杨志宏 | 申请(专利权)人: | 国电南瑞科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F13/28 | 分类号: | G06F13/28;G06F11/10 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210061 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 原生 pcie 接口 ssd 控制器 及其 控制 方法 | ||
1.基于原生PCIe接口的SSD控制器,其特征在于,包括与PCIe接口相连的PCIe终端,控制SSD读写操作的Nand Flash控制器,所述PCIe终端与DMA控制器相连,所述DMA控制器分别与DDR控制器和Nand Flash控制器相连,所述DDR控制器与用于存储需要被读入SSD或从SSD写出的数据流的外界缓存DDR相连,所述DDR控制器与Nand Flash控制器相连,所述Nand Flash控制器包括电气相连的地址控制模块和LLD驱动模块,所述地址控制模块用于对待写入或读取的数据的映射地址与NandFlash实际地址的相互转换,DMA控制器与地址控制模块相连并将要读取或写入的数据流的描述信息发送给地址控制模块,所述LLD驱动模块用于将DDR中缓存的数据流转换成ONFI接口时序的数据流写入SSD,所述Nand Flash控制器还包括与DDR控制器相连的二级缓存存储器,所述二级缓存存储器与地址控制模块相连,所述Nand Flash控制器还包括用于数据校验和恢复的ECC模块,所述ECC模块用于地址控制模块和LLD驱动模块之间数据传输的校验和恢复。
2.根据权利要求1所述的基于原生PCIe接口的SSD控制器,其特征在于,所述DMA控制器与若干个Nand Flash控制器相连,每个Nand Flash控制器分别与不超过16片的NandFlash相连。
3.一种基于原生PCIe接口的SSD控制器的控制方法,其特征在于,包括如下步骤:
当CPU向SSD写数据时,DMA控制器将PCIe终端里的PCIe数据流导入到DDR控制器中,然后缓存在DDR中,同时CPU将数据流的描述信息通过DMA控制器传递给NandFlash控制器,NandFlash控制器的地址控制模块收到描述信息之后判断数据的有效性,如果数据有效,则从DDR中将数据流经过ECC模块校验以及通过LLD驱动模块将数据流转换成ONFI接口时序的数据流写入SSD;
当CPU向SSD读数据时,CPU将要读取数据的描述信息发送给DMA控制器,DMA控制器将描述信息发送给NandFlash控制器,NandFlash控制器收到描述信息之后,地址控制模块将描述信息转换成SSD中数据相对应的地址并开始读SSD中的数据,经过ECC模块校验之后通过DDR控制器存入DDR缓存中,缓存结束后,NandFlash控制器向DMA控制器发送通知信息,DMA控制器开始以DMA方式将数据从DDR中经PCIe终端发送给CPU。
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