[发明专利]一种MIM结构的制备方法有效
| 申请号： | 201410113669.1 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952697B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李立春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mim 结构 制备 方法 | ||
1.一种MIM结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一衬底，在所述衬底上形成第一金属层；
S2：然后将所述衬底放入反应腔内的加热盘上，并往所述反应腔内通入反应气体，在所述第一金属层上生长第一介质层；
S3：利用设置于所述加热盘中的升降针将所述衬底抬升至预设位置，并抽走所述反应腔内剩余的反应气体，使所述反应腔内达到预设压强；
S4：然后再利用所述升降针将所述衬底下降至所述加热盘上；
S5：当所述衬底停放在所述加热盘上之后，再往所述反应腔内通入反应气体，在所述第一介质层表面生长第二介质层；
S6：最后在所述第二介质层上形成第二金属层，得到MIM结构。
2.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：于所述步骤S3中抽走所述反应腔内剩余的反应气体时，将与所述反应腔连接的节流阀完全打开。
3.根据权利要求2所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：于所述步骤S4中利用所述升降针将所述衬底下降至所述加热盘上时，所述节流阀保持完全打开状态。
4.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：于所述步骤S4中利用所述升降针将所述衬底下降至所述加热盘上时，所述反应气体流量小于或等于0sccm。
5.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：所述预设压强小于100mTorr。
6.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：所述第一介质层为二氧化硅或氮化硅；所述第二介质层为二氧化硅或氮化硅。
7.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：所述反应气体为硅烷与一氧化二氮的混合气。
8.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：所述第一金属层选自铝、钽、氮化钽、钛及氮化钛中的至少一种；所述第二金属层选自铝、钽、氮化钽、钛及氮化钛中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：采用PECVD法形成所述第一介质层及所述第二介质层。
10.根据权利要求1所述的MIM结构的制备方法，其特征在于：采用溅射法形成所述第一金属层及所述第二金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
