[发明专利]压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201410112136.1 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103900740A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨天伦;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、互连电路以及底部电极板，半导体基板暴露所述底部电极板外围的互连电路；
在所述半导体基板上底部电极板的对应位置形成牺牲层；
在所述牺牲层及所述半导体基板上形成压力感应层；
去除所述牺牲层，所述压力感应层和半导体基底围成一个空腔；
在所述压力感应层上形成压力传导层，其位于空腔的上方；
其中，所述压力感应层的形成步骤包括：
在牺牲层上形成锗硅-非晶硅-锗硅的叠层结构。
2.如权利要求1所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，
所述在牺牲层上形成锗硅-非晶硅-锗硅的叠层结构的步骤包括：
在所述牺牲层上形成N层的锗硅-非晶硅复合层，所述锗硅-非晶硅复合层由一层锗硅层和位于其上的一层非晶硅层构成，1≤N≤10；
在所述锗硅-非晶硅复合层上再形成一层顶层锗硅层。
3.如权利要求2所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，形成N层的锗硅-非晶硅复合层的步骤之前还包括在所述牺牲层上形成底层非晶硅层，其厚度为50-300埃。
4.如权利要求1所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述锗硅-非晶硅复合层中锗硅材料为Si1-xGex，通常X的值在0.5到0.8之间。
5.如权利要求4所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述锗硅-非晶硅复合层中锗硅层的厚度为：0.5μm-3μm，非晶硅层的厚度为10埃-100埃，所述顶层锗硅层的厚度为0.5μm-3μm，并且压力感应层的总厚度为0.5μm-3μm。
6.一种压力传感器，其特征在于，包括：
半导体基板，其中内嵌有层叠排列的CMOS电路、互连电路以及底部电极板，半导体基板暴露所述底部电极板外围的互连电路；
在所述底部电极板上具有压力感应层和半导体基板围成的空腔，所述底部电极板和所述压力感应层形成电容；
其中，所述压力感应层包括：锗硅-非晶硅-锗硅的叠层结构。
7.如权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，所述锗硅-非晶硅-锗硅的叠层结构包括：
N层的锗硅-非晶硅复合层，所述锗硅-非晶硅复合层由一层锗硅层和位于其上的一层非晶硅层构成，1＜N≤10；
位于所述锗硅-非晶硅复合层上的顶层锗硅层。
8.如权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，所述压力感应层还包括：位于所述锗硅-非晶硅-锗硅的叠层结构下层的底层非晶硅层，其厚度为50埃-300埃。
9.如权利要求6所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述锗硅-非晶硅复合层中锗硅层的厚度为：0.5μm-3μm，非晶硅层的厚度为10埃-100埃，所述顶层锗硅层的厚度为0.5μm-3μm，并且压力感应层的总厚度为0.5μm-3μm。
10.如权利要求6所述的压力传感器的制造方法，其特征在于，所述锗硅-非晶硅复合层中锗硅材料为Si1-xGex，通常X的值在0.5到0.8之间。
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