[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供具有核心区和非核心区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；

在位于所述核心区的将要形成源/漏区的部分中形成第一嵌入式外延层，并在所述第一嵌入式外延层的顶部形成第一帽层；

在位于所述非核心区的将要形成源/漏区的部分中形成第二嵌入式外延层，并以所述第一帽层的厚度为基准，在所述第二嵌入式外延层的顶部形成与所述第一帽层的厚度相同的第二帽层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺形成所述第一嵌入式外延层和所述第二嵌入式外延层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位外延生长工艺形成所述第一帽层和所述第二帽层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用所述原位外延生长工艺形成所述第二帽层时，以所述第一帽层的厚度为基准，当所述第二帽层的厚度与所述第一帽层的厚度相同时，终止所述原位外延生长。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述嵌入式外延层为嵌入式锗硅层或者嵌入式碳硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括自下而上层叠的牺牲栅极介电层和牺牲栅极材料层，所述伪栅极结构的顶部形成有硬掩蔽层。

7.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供具有核心区和非核心区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构；

在位于所述核心区和所述非核心区的将要形成源/漏区的部分中同时形成第一嵌入式外延层和第二嵌入式外延层，并在所述第一嵌入式外延层和所述第二嵌入式外延层的顶部同时形成第一帽层和第二帽层；

实施回蚀刻对所述第二帽层进行减薄处理，以所述第一帽层的厚度为基准，当所述第二帽层的厚度与所述第一帽层的厚度相同时，终止所述回蚀刻。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺形成所述第一嵌入式外延层和所述第二嵌入式外延层，采用原位外延生长工艺形成所述第一帽层和所述第二帽层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述嵌入式外延层为嵌入式锗硅层或者嵌入式碳硅层。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括自下而上层叠的牺牲栅极介电层和牺牲栅极材料层，所述伪栅极结构的顶部形成有硬掩蔽层。