[发明专利]一种存储器中的磁性轨道的制造方法、装置及一种存储器有效

专利信息
申请号: 201410111552.X 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN104953025B 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 林殷茵;赵俊峰;杨伟;王元钢;杨凯;傅雅蓉 申请(专利权)人: 华为技术有限公司;复旦大学
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12;H01L43/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 郝传鑫,熊永强
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储器 中的 磁性 轨道 制造 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种存储器中的磁性轨道的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体;

沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙;

在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道,其中,所述阳性隔离层和所述阴性隔离层针对所述磁性材料具有不同的淀积速率。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙,包括:

沿堆叠方向对所述堆叠体进行非选择性刻蚀以获取至少一个孔隙;或

沿堆叠方向对所述堆叠体进行选择性刻蚀以获取至少一个孔隙。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道之后,还包括:

在所述两条凹凸状的磁性轨道之间填充隔离材料;

对所述孔隙的其中一端的孔口所在的所述堆叠体的表面进行打磨;

在打磨后的所述表面覆盖一层所述隔离材料。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述隔离材料包括由铁、钴或镍中任意一种或多种元素组成的金属氧化物以及所述金属氧化物的混合物。

5.如权利要求1-2任一项所述的方法,其特征在于,所述在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道之后,还包括:

使用所述磁性材料连接所述两条凹凸状的磁性轨道以形成一条U型的凹凸状的磁性轨道。

6.一种存储器中的磁性轨道的制造装置,其特征在于,所述装置包括:

堆叠体制取模块,用于将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体;

孔隙刻蚀模块,用于沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙;

磁性轨道形成模块,用于在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道,其中,所述阳性隔离层和所述阴性隔离层针对所述磁性材料具有不同的淀积速率。

7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述孔隙刻蚀模块包括:

选择性刻蚀单元,用于沿堆叠方向对所述堆叠体进行非选择性刻蚀以获取至少一个孔隙;或

非选择性刻蚀单元,用于沿堆叠方向对所述堆叠体进行选择性刻蚀以获取至少一个孔隙。

8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

隔离材料填充模块,用于在所述两条凹凸状的磁性轨道之间填充隔离材料;

表面打磨模块,用于对所述孔隙的孔口所在的所述堆叠体的表面进行打磨;

隔离材料覆盖模块,用于在打磨后的所述表面覆盖一层所述隔离材料。

9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述隔离材料包括由铁、钴或镍中任意一种或多种元素组成的金属氧化物以及所述金属氧化物的混合物。

10.如权利要求8-9任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

磁性轨道连接模块,用于使用所述磁性材料连接所述两条凹凸状的磁性轨道以形成一条U型的凹凸状的磁性轨道。

11.一种带磁性轨道的存储器,其特征在于,所述存储器包括堆叠体和至少一对凹凸状的磁性轨道,其中:

所述堆叠体由多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠而成,所述堆叠体中有至少一个沿堆叠方向刻蚀的孔隙,所述凹凸状的磁性轨道由磁性材料在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积而形成,其中,所述阳性隔离层和所述阴性隔离层针对所述磁性材料具有不同的淀积速率。

12.如权利要求11所述的存储器,其特征在于,所述存储器还包括隔离材料,一部分的所述隔离材料填充在所述一对凹凸状的磁性轨道之间,另一部分的所述隔离材料覆盖在所述孔隙的其中一端的孔口所在的所述堆叠体的表面。

13.如权利要求11所述的存储器,其特征在于,所述一对凹凸状的磁性轨道通过所述磁性材料相连呈U型。

14.如权利要求12所述的存储器,其特征在于,所述隔离材料包括由铁、钴或镍中任意一种或多种元素组成的金属氧化物以及所述金属氧化物的混合物。

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