[发明专利]基于SIW技术的双极化缝隙天线有效
| 申请号： | 201410111186.8 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103943963A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张海力;吕新江;赵启杰 | 申请（专利权）人： | 绍兴市精伦通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q13/10 | 分类号： | H01Q13/10 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 312353 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 siw 技术 极化 缝隙 天线 | ||
1.一种基于SIW技术的双极化缝隙天线，包括带有过孔的基板，所述基板包括介质层、位于介质层顶面的第一覆铜层、以及位于介质层底面的第二覆铜层，其特征在于，所述第一覆铜层上设有缝隙，所述第二覆铜层上设有馈电端；
所述缝隙绕成矩形，过孔分为两组且分别处在所述矩形的内外两侧；
所述的馈电端为矩形覆铜片，所述馈电端为2个，且正交排布于介质层底部；
第一组过孔绕成切角矩形，且位于缝隙绕成的矩形的内部，该切角矩形同侧的两个角部为斜边，所述的斜边分别与对应馈电端的一组对边垂直；
第二组过孔绕成开放矩形，且位于缝隙绕成的矩形的外部，该开放矩形同侧的两个角部为开放区域且每个开放区域的位置对应一个斜边；
第二组过孔在开放区域处沿垂直于对应斜边方向延伸排列至基板边缘。
2.如权利要求1所述的基于SIW技术的双极化缝隙天线，其特征在于，所述缝隙绕成的矩形的周长l为：
其中λ为传输微波的波长，ε为介质层的介电常数。
3.如权利要求2所述的基于SIW技术的双极化缝隙天线，其特征在于，所述过孔的直径为0.4mm。
4.如权利要求3所述的基于SIW技术的双极化缝隙天线，其特征在于，相邻两个过孔的中心之间的距离为1mm。
5.如权利要求4所述的基于SIW技术的双极化缝隙天线，其特征在于，第一组过孔中的过孔到所述缝隙绕成矩形的对应边的距离为7.5mm。
6.如权利要求5所述的基于SIW技术的双极化缝隙天线，其特征在于，第二组过孔中的过孔到所述缝隙绕成矩形的对应边的距离为2.6mm。
7.如权利要求6所述的基于SIW技术的双极化缝隙天线，其特征在于，所述开放矩形的开放区域中延伸排列的过孔到馈电端的相应边的距离为5.2mm。
8.如权利要求7所述的基于SIW技术的双极化缝隙天线，其特征在于，所述的介质层的材质为聚四氟乙烯或陶瓷。
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