[发明专利]薄膜晶体管衬底及其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管衬底，包括：

衬底；

半导体层，形成于所述衬底上；

栅绝缘膜，形成于所述半导体层上；

栅电极，形成于所述栅绝缘膜上；

层间绝缘膜，形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔；

源电极和漏电极，分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔；

平坦化层，形成于所述源电极和所述漏电极上且包括用于使所述漏电极的一部分暴露的像素接触孔；以及

像素电极，插入所述像素接触孔内，

所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处的第一凸部，以及

其中所述半导体层、所述漏接触孔和所述像素接触孔彼此重叠。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中所述平坦化层包括形成于所述像素接触孔入口处的第二凸部，并且所述像素电极覆盖所述第二凸部。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中所述像素电极包括：

第一像素电极，形成于所述像素接触孔内；以及

第二像素电极，形成于所述像素接触孔上，

其中所述第一像素电极和所述第二像素电极由不同的材料制成。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中所述源电极包括：

第一源电极，形成于所述源接触孔内；以及

第二源电极，形成于所述源接触孔上，

其中所述第一源电极和所述第二源电极由不同的材料制成，

其中所述漏电极包括：

第一漏电极，形成于所述漏接触孔内；以及

第二漏电极，形成于所述漏接触孔上，

其中所述第一漏电极和所述第二漏电极由不同的材料制成。

5.一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在衬底上形成半导体层；

在所述半导体层上形成初步栅绝缘膜；

在所述初步栅绝缘膜上形成栅电极；

在所述栅电极上形成初步层间绝缘膜；

通过形成用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔和通过将第一刻蚀溶液排放到所述初步层间绝缘膜上而在所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处形成第一凸部，分别将所述初步栅绝缘膜和所述初步层间绝缘膜转变成栅绝缘膜和层间绝缘膜；

分别在所述源接触孔和所述漏接触孔中形成源电极和漏电极，

其中，以电流体动力喷墨工序中排放所述第一刻蚀溶液。

6.如权利要求5所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其中形成所述源电极和所述漏电极包括：

电流体动力地将第一电极溶液的喷流排放到所述源接触孔和所述漏接触孔上；

烧结排放的所述第一电极溶液；以及

将电极材料沉积到所述源接触孔和所述漏接触孔上。

7.如权利要求6所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其中相继地由第一排放装置执行所述第一刻蚀溶液的排放和所述第一电极溶液的排放。

8.如权利要求5所述的用于制造薄膜晶体管的方法，还包括：

在所述源电极和所述漏电极上形成初步平坦化层；

通过将第二刻蚀溶液排放到所述初步平坦化层上而形成用于使所述漏电极的一部分暴露的像素接触孔，将所述初步平坦化层转变成平坦化层；以及

在所述像素接触孔中形成像素电极，

其中所述第二刻蚀溶液以所述第二刻蚀溶液的喷流电流体动力地被排放。

9.如权利要求8所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其中形成所述像素电极包括：

电流体动力地将第二电极溶液的喷流排放到所述像素接触孔上；

烧结排放的所述第二电极溶液；以及

将电极材料沉积到所述像素接触孔上。

10.如权利要求9所述的用于制造薄膜晶体管的方法，其中相继地由第二排放装置执行所述第二刻蚀溶液的和所述第二电极溶液的排放。