[发明专利]一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法在审
| 申请号： | 201410110159.9 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103904173A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周晓龙;白欣娇;王波;潘鹏;王爱民 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张二群 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 芯片 正向 工作 电压 外延 生长 方法 | ||
1.一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，其特征在于包括如下步骤：外延衬底预烘烤、GaN缓冲层生长、U型GaN层生长、N型GaN层生长、多量子阱发光层优化生长、P型GaN层生长；所述多量子阱发光层优化生长包括减薄势垒层厚度的操作，该操作通过如下方式中的一项或一项以上结合使用实现：1）减少势垒层的生长时间；2）在生长势垒层时降低Ⅲ族源的流量；3）在生长势垒层时加大Ⅴ族源的流量。
2.根据权利要求1所述的一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，其特征在于单独使用时，1）中减少势垒层的生长时间的具体操作为：势垒层的生长时间的减少量为原生长时间的1/2-1/3。
3.根据权利要求1所述的一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，其特征在于单独使用时，2）中在生长势垒层时降低Ⅲ族源的流量的具体操作为：Ⅲ族源流量的减少量为原流量的1/4-1/5。
4.根据权利要求1所述的一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，其特征在于单独使用时，3）中加大Ⅴ族源的流量的具体操作为：Ⅴ族源流量的增加量为原流量的1/8-1/11。
5.根据权利要求1所述的一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，其特征在于两种方式结合使用时各种方式的具体操作为：1）势垒层的生长时间的减少量为原生长时间的1/4-1/6；2）Ⅲ族源流量的减少量为原流量的1/7-1/8；3）Ⅴ族源流量的增加量为1/13-1/15。
6.根据权利要求1所述的一种降低芯片正向工作电压的外延片生长方法，其特征在于三种方式结合使用时各种方式的具体操作为：1）势垒层的生长时间的减少量为原生长时间的1/6-1/8；2）Ⅲ族源的流量的减少量为1/10-1/12；3）Ⅴ族源流量的增加量为1/16-1/20。
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