[发明专利]红外非线性光学粉末及单晶体硒锗镓铅有效
申请号: | 201410109896.7 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN103866391B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 罗中箴;林晨升;程文旦;张炜龙;张浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/46 | 分类号: | C30B29/46;G02F1/355 |
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地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 非线性 光学 粉末 单晶体 硒锗镓铅 | ||
1.红外非线性光学材料硒锗镓铅粉末,其化学式为PbGa2GeSe6,分子量为893.01,属正交晶系,空间群Fdd2,单胞参数为α=β=γ=90°,Z=16。
2.红外非线性光学材料硒锗镓铅单晶体,其化学式为PbGa2GeSe6,分子量为893.01,属正交晶系,空间群Fdd2,单胞参数为α=β=γ=90°,Z=16。
3.一种权利要求1所述硒锗镓铅粉末的制备方法,其特征在于:按PbSe:Ga2Se3:Ge:Se摩尔比为1:1:1:2,称取PbSe,Ga2Se3,Ge与Se混合均匀,放入石墨坩埚,再装入石英管中,抽真空后封口,置于高温炉中于600℃恒温数十小时,再缓慢降至室温,获得深红色多晶粉末。
4.一种权利要求2所述硒锗镓铅单晶体的制备方法,其特征在于:以Pb,Ga,Ge与Se为原料,Pb:Ga:Ge:Se元素摩尔比为1:2:1:6,称取Pb,Ga,Ge与Se混合,放入石墨坩埚,再装入石英管中,抽真空后封口,置于高温炉中于500℃反应数小时,再于800℃恒温数十小时,最后缓慢降至室温,获得较多深红色块状晶体。
5.一种权利要求1所述的硒锗镓铅粉末材料用于制备红外波段激光变频器件、近红外滤光器件,以及红外通讯。
6.一种权利要求2所述的硒锗镓铅单晶体材料用于制备红外波段激光变频器件、近红外滤光器件,以及红外通讯。
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