[发明专利]离子注入层的光学临近效应修正方法

权利要求书

1.一种离子注入层的光学临近效应修正方法，包括：

提供一离子注入层的相关层的版图，通过逻辑计算得到所述离子注入层的原始版图；

根据判定方法选出原始版图中单点相连的点；

将与单点相连的点相连的边从原始版图中分离去除；

对单点相连的图形中非单点相连处的边进行放大处理，对单点相连处的边不进行放大处理，对非单点相连图形进行放大处理；

合并单点相连的图形和非单点相连图形，得到离子注入层的预处理版图数据；

对所述预处理版图数据进行OPC修正，获得图形数据。

2.如权利要求1所述的离子注入层的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述判定方法为：

所述原始版图按照设计时的最小格点分成多个片段，当原始版图上任意一个图形的任意一个顶点与另一图形的任意一顶点处于同一格点之上，且从该格点延伸出来的片段中的图形的边未重叠，则判断该点为单点相连的点。

3.如权利要求2所述的离子注入层的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述最小格点尺寸为0.01nm～10nm。

4.如权利要求1所述的离子注入层的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述原始版图中包括“岛”和“洞”类图形。

5.如权利要求4所述的离子注入层的光学临近效应修正方法，其特征在于，放大处理包括：预先按预处理规则设定好各图形进行放大处理的临界值，当“岛”类图形的边大于设置的对应临界值时，对其进行放大，当“洞”类图形的边小于设置的对应临界值时，对其进行放大。

6.如权利要求5所述的离子注入层的光学临近效应修正方法，其特征在于，将对应边按比例或者一定尺寸进行放大。

7.如权利要求6所述的离子注入层的光学临近效应修正方法，其特征在于，将对应边按放大原尺寸的2％～20％进行放大。