[发明专利]摄像装置和图像拍摄显示系统有效

专利信息
申请号: 201410108644.2 申请日: 2014-03-21
公开(公告)号: CN104079847B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 山田泰弘 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/3745 分类号: H04N5/3745;H04N5/341
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 陈桂香,褚海英
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 摄像 装置 图像 拍摄 显示 系统
【说明书】:

技术领域

本发明涉及包括有光电转换器件的摄像装置和包含这样的摄像装置的图像拍摄显示系统。

背景技术

已经提出了各种类型的摄像装置作为每个像素(摄像像素)中内置有光电转换器件的摄像装置。这种包含这样的光电转换器件的摄像装置的示例可以包括所谓的光学触控面板和射线照相摄像装置(例如,日本待审查专利第2011-135561号公报)。

发明内容

在如上所述的这样的摄像装置中,使用薄膜晶体管(TFT)作为用于从每个像素读出信号电荷的开关器件。然而,可能产生这样的缺点:由于TFT的阈值电压的偏移,摄像装置的可靠性降低。

因此,期望提供一种能够通过减小由晶体管的阈值电压的偏移造成的不利影响来获得高可靠性的摄像装置,以及含有这样的摄像装置的图像拍摄显示系统。

根据本发明的实施例,提供了一种摄像装置,其包括:摄像部,所述摄像部含有多个像素,每个所述像素含有光电转换器件和场效应晶体管;驱动部,所述驱动部被构造用来控制将被施加至所述晶体管的电压以进行对累积在所述像素中的信号电荷的读出驱动;和校正部,所述校正部被构造用来校正用于驱动所述晶体管的电压值。所述晶体管含有第一栅极电极和第二栅极电极,所述第一栅极电极和所述第二栅极电极彼此面对地布置且所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间设置有半导体层。所述驱动部被构造用来通过将第一电压施加至所述晶体管的第一栅极电极且将第二电压施加至所述晶体管的第二栅极电极来进行所述晶体管的导通/截止控制。所述校正部被构造用来根据所述晶体管的阈值电压的偏移量来校正所述第一电压和所述第二电压中的一者或两者的电压值。

根据本发明的另一个实施例,提供了一种图像拍摄显示系统,其包括:摄像装置;和显示装置,所述显示装置被构造用来基于由所述摄像装置获得的摄像信号进行图像显示。所述摄像装置包括:摄像部,所述摄像部含有多个像素,每个所述像素含有光电转换器件和场效应晶体管;驱动部,所述驱动部被构造用来控制将被施加至所述晶体管的电压以进行对累积在所述像素中的信号电荷的读出驱动;和校正部,所述校正部被构造用来校正用于驱动所述晶体管的电压值。所述晶体管含有第一栅极电极和第二栅极电极,所述第一栅极电极和所述第二栅极电极彼此面对地布置且所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间设置有半导体层。所述驱动部被构造用来通过将第一电压施加至所述晶体管的第一栅极电极且将第二电压施加至所述晶体管的第二栅极电极来进行所述晶体管的导通/截止控制。所述校正部被构造用来根据所述晶体管的阈值电压的偏移量来校正所述第一电压和所述第二电压中的一者或两者的电压值。

在根据本发明的上述实施例的摄像装置和图像拍摄显示系统中,当读出所述信号电荷时,通过将所述第一电压施加至所述晶体管的第一栅极电极且将所述第二电压施加至所述晶体管的第二栅极电极来进行所述晶体管的导通/截止控制。根据所述晶体管的阈值电压的偏移量在预定的时刻对所述第一电压和所述第二电压中的一者的电压值进行校正。

在根据本发明的上述实施例的摄像装置和图像拍摄显示系统中,所述摄像部包括多个像素,每个所述像素含有光电转换器件和场效应晶体管,且所述晶体管包括所述第一栅极电极和所述第二栅极电极,所述第一栅极电极和所述第二栅极电极彼此面对地布置且所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间设置有半导体层。所述驱动部通过将所述第一电压施加至如此构造的所述晶体管的第一栅极电极且将所述第二电压施加至所述晶体管的第二栅极电极,来进行所述晶体管的导通/截止控制,且所述校正部根据所述阈值电压的偏移量对所述第一电压和所述第二电压中的一者的电压值进行校正。因此,能够通过减轻由所述晶体管的阈值电压的偏移造成的不利影响来获得高的可靠性。

应当理解,前面的一般性说明和下面的详细说明都是示例性的,且旨在对权利要求书中请求保护的技术提供进一步的说明。

附图说明

这里所包括的附图提供了对本发明的进一步理解,这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例,并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。

图1是图示了根据本发明实施例的摄像装置的整体构造示例的框图。

图2是图示了图1中所示的摄像部的示意性构造示例的示意图。

图3是图示了图1中所示的像素等的详细构造示例的电路图。

图4是图示了图3中所示的晶体管的示意性构造示例的截面图。

图5A是图示了图1中所示的行扫描部的详细构造示例的框图。

图5B是图示了图1中所示的列选择部的详细构造示例的框图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410108644.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top