[发明专利]电瓶充电器自动修复辅助装置有效
申请号: | 201410108349.7 | 申请日: | 2014-03-22 |
公开(公告)号: | CN103825343A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 黄宇嵩 | 申请(专利权)人: | 黄宇嵩 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02M3/335 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电瓶 充电器 自动 修复 辅助 装置 | ||
技术领域
本发明属于电瓶充电及维护技术领域,涉及一种电瓶充电器自动修复辅助装置。
背景技术
目前,电动车普遍采用铅酸电瓶作为动力源,电瓶的好坏直接影响电动车的正常工作。因此,如何使正确使用和维护电瓶是消费者最为关心的问题。
一般充电器充电时对电瓶极板的硫酸铅化形成无任何抑制作用,而电瓶极板的硫酸盐化过程为不可逆。电瓶长期使用性能较差的充电器,对电瓶性能会造成十分不利的影响,且这种不利影响会不断积累,使得电瓶提前早衰、容量下降,从而导致电动车载重能力明显下降、续航里程变短,电瓶的使用寿命大幅度缩短。
市场上绝大部分电瓶充电器没有修复功能。如何去除或抑制电瓶极板硫酸铅化(即:盐化)过程,如何让电瓶延长使用寿命,是目前迫切需要解决的问题。
本发明所述的电瓶充电器自动修复辅助装置,它在普通充电器上加接修复辅助装置,在给电瓶正常充电过程中,利用辅助装置产生高压脉冲来消除或抑制电瓶极板上的硫化铅,通过修复可有效延长电瓶的使用寿命。
以下详细说明本发明所述的电瓶充电器自动修复辅助装置在实施过程中所涉及的有关技术内容。
发明内容
发明目的及有益效果:市场上绝大部分电瓶充电器没有修复功能。如何去除或抑制电瓶极板硫酸铅化(即:盐化)过程,如何使电瓶延长使用寿命,是目前迫切需要解决的问题。本发明所述的电瓶充电器自动修复辅助装置,它在普通充电器上加接修复辅助装置,在给电瓶正常充电过程中,利用辅助装置产生高压脉冲来消除或抑制电瓶极板上的硫化铅,通过修复可有效延长电瓶的使用寿命。
电路工作原理:电瓶发生硫化铅后,利用传统充电方式,电瓶电压就会快速达到充电器的限制电压,充电变为恒压方式充电,虽然避免了过充电,这个过程虽然保护了电瓶,但充电远没有达到电瓶的标称容量,也使硫酸铅化不能有效恢复,慢慢积累下来电瓶就会逐渐老化。本发明实际就是一个脉冲振荡器。当晶体管导通再截止的瞬间会产生一个尖峰高压脉冲,尖峰高压脉冲经过整流直接加到电瓶上,瞬间电解部分硫化铅,在整个充电过程中慢慢地修复电瓶。电瓶一旦充好修复后,电瓶需要立即取下来,以免过度电解反而有损电瓶。
技术特征:电瓶充电器自动修复辅助装置,它包括36V充电器、升压式振荡电路、高压脉冲整流电路、充电与高压脉冲整流隔离电路、36V电瓶,其特征在于:
升压式振荡电路:它由振荡升压变压器T、电阻R1、电容C2、硅整流二极管D1、NPN型晶体管VT1和电阻R2、NPN型晶体管VT2和电阻R3组成;振荡升压变压器T初级线圈L1一端接电阻R1一端和电容C2一端,电阻R1另一端接电路正极VCC,电容C2另一端接电路地GND,初级线圈L1另一端接硅整流二极管D1负极和NPN型晶体管VT1的基极及NPN型晶体管VT2的基极,NPN型晶体管VT1的发射极通过电阻R2接电路地GND,NPN型晶体管VT2的发射极通过电阻R3接电路地GND,NPN型晶体管VT1的集电极和NPN型晶体管VT2的集电极接高压脉冲整流电路;
高压脉冲整流电路:它由振荡升压变压器T、硅整流二极管D4和硅整流二极管D5组成,振荡升压变压器T次级线圈L2一端与硅整流二极管D4正极、硅整流二极管D5正极和NPN型晶体管VT1的集电极、NPN型晶体管VT2的集电极相连,振荡升压变压器T次级线圈L2另一端接电路正极VCC,硅整流二极管D4负极和硅整流二极管D5负极接电路正极VCC1;
充电与高压脉冲整流隔离电路:它由硅整流二极管D2和硅整流二极管D3组成,硅整流二极管正极D2和硅整流二极管D3正极接电路正极VCC,硅整流二极管D2负极和硅整流二极管D3负极接电路负极VCC1;
36V充电器的正极接电路正极VCC,36V充电器的负极接电路地GND,36V电瓶的正极接电路正极VCC1,36V电瓶的负极与电路地GND相连。
附图说明
附图1是本发明所提供的电瓶充电器自动修复辅助装置一个实施例的电路工作原理图。
具体实施方式
按照附图1所示电瓶充电器自动修复辅助装置的电路工作原理图和附图说明,并且按照发明内容所述电路中元器件之间的连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求进行实施即可实现本发明。
元器件的选择及技术参数
VT1~VT2为NPN型晶体管,选用的型号为MC13003,要求两只NPN型晶体管的技术参数尽可能一致,其中要求β≥160;
C1为电解电容,其容量为10μF/50V;
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