[发明专利]一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法

权利要求书

1.一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：首先进行合金熔炼，在熔融状态下将合金浇铸到带水冷却的旋转铜辊上冷却形成合金片,接着进行氢破碎，氢破碎后进行混料，混料后进行气流磨，之后在氮气保护下用混料机混料后送到氮气保护磁场取向压机成型，成形后在保护箱内封装，然后取出进行等静压，之后送入烧结设备烧结和时效制成钕铁硼稀土永磁磁体，之后进行机械加工制成钕铁硼稀土永磁器件，之后在真空镀膜室内对钕铁硼稀土永磁器件进行磁控溅射镀膜和多弧离子镀的复合镀膜，镀膜共分3层，第一层为磁控溅射镀层，镀层厚度为：0.02-5μm，第二层为磁控溅射和多弧离子镀的复合镀层，镀层厚度为：1-10μm，第三层为磁控溅射镀层，镀层厚度为： 0.1-5μm。

2.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的真空镀膜室内设置有加热器，加热温度范围在30-600℃。

3.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的复合镀膜工序后还有热处理工序，热处理温度60-900℃。

4.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的真空镀膜室内设置有阳极层线性离子源，所述的复合镀膜条件为，温度30~600℃，沉积压强为氩气条件下0.1~1Pa,功率密度为1~20w/cm2，线性离子源的放电电压100~3000V，离子能量100~2000eV,氩气条件下工作气压0.01~1Pa，所述的复合镀膜工序中采用磁控溅射镀膜和多弧离子镀膜单独、交替或同时进行工作。

5.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的复合镀膜过程中还充入氩气和氧气，氧气/氩气的体积百分数在0.1-5%。

6.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的复合镀膜属于物理气相沉积，磁控镀膜材料为Al、Dy-Al、Tb-Al、Dy-Fe、Tb-Fe、Ti、Mo、Si、不锈钢、Al₂O₃、ZrO、AZO中的一种, 所述的磁控溅射和多弧离子镀的复合镀层，镀膜材料为Al、Ti、Mo、Si、不锈钢、Al₂O₃、ZrO、ITO、AZO中的一种以上。

7.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的复合镀膜工序前还有喷砂工序，喷砂采用的材料是石英、玻璃微珠、氧化铝、氧化铈、氧化镧、氧化铈和氧化镧的混合物、氧化锆的一种以上，镀膜工序前或者还有喷涂工序，喷涂材料为铝或含铝的化合物、电泳漆中的一种。

8.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的复合镀膜工序，镀膜共分3层，第一层为磁控溅射镀层，镀层为Al、Dy-Al、Tb-Al、Dy-Fe、Tb-Fe中的一种，第二层为磁控溅射和多弧离子镀的复合镀层，镀层为Al、Ni-Cr、Ti、Mo、Si、Al₂O₃、ZrO₂、AZO中的一种以上，第三层为磁控溅射镀层，镀层为Al、Ni-Cr、Ti、Mo、Si、Al₂O₃、ZrO₂、AZO中的一种以上。

9.根据权利要求1所述的一种带有复合镀膜的钕铁硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的复合镀膜工序，镀膜共分3层，第一层为磁控溅射镀层，镀层为Dy-Al、Tb-Al中的一种，第二层为磁控溅射和多弧离子镀的混合镀层，镀层为Al、Ni-Cr中的一种以上，第三层为磁控溅射镀层，镀层为Al。