[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410107433.7 | 申请日： | 2014-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103996766B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.氮化镓基发光二极管，包括：衬底、缓冲层、N型层、多量子阱有源层和P型层，其特征在于：所述多量子阱有源层由InGaN量子阱与InAlN量子垒结构组成，当所述InAlN量子垒中In组份为0.15～0.40，Al组份为0.60～0.85，且所述InGaN量子阱中In组份为0.1～0.25时，所述量子阱与所述量子垒的晶格常数相同。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述InAlN量子垒厚度为10Å～180Å。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述InGaN量子阱厚度为10Å～50Å。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述InAlN量子垒掺杂浓度小于5×1018 /cm3。
5.氮化镓基发光二极管的制备方法，其步骤包括：
在一衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成N型层；
在所述N型层上形成多量子阱有源层；
在所述多量子阱有源层上形成P型层；
其特征在于，所述形成的多量子阱有源层由InGaN量子阱层与InAlN量子垒层组成，且所述量子阱与所述量子垒的晶格常数及生长温度均相同，具体地，在生长温度为700℃~800℃、生长压力为150torr～400torr、InAlN量子垒中In组份为0.15～0.40，Al组份为0.60～0.85、 InGaN量子阱中In组份为0.1～0.25的条件下生长多量子阱有源层。
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