[发明专利]一种抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法

权利要求书

1.一种抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在基底上制备SiO₂栅氧化层，并形成SiON栅氧化层；

步骤2，在1000～1200℃下并伴随纯惰性气体的氛围下对所述SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定Si-N键；

步骤3，在400～800℃下对经过氮化处理后的所述SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复SiO₂/Si界面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1中，通过快速热退火工艺和/或垂直炉管工艺制备所述SiO₂栅氧化层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述快速热退火工艺具体包括原位水蒸气氧化法和/或快速热退火氧化法。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，采用N₂O和H₂为反应气体进行所述原位水蒸气氧化法；或

采用O₂和H₂为反应气体进行所述原位水蒸气氧化法。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1中，通过去耦等离子体氮化工艺和/或远程等离子体氮化工艺形成所述SiON。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1中，以NO、N₂O或NH₃为原料，采用垂直扩散设备形成所述SiON。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤2中，所述氮化处理的温度范围为1000～1200℃,反应时间范围为5～120sec。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纯惰性气体氛围包含氮气或氩气中的任意一种。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤3中，所述氧化处理的温度范围为400～800℃，反应时间范围为5～120sec。