[发明专利]对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法有效
申请号: | 201410106540.8 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN103887198A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 何理;许向辉;郭贤权;陈超 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 没有 重复 分界 存储 区域 进行 扫描 方法 | ||
1.对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法,其特征在于,包括下述步骤:
步骤1.根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的宽度;
步骤2.根据所述单位存储单元的宽度对所述存储区域进行划分;
步骤3.根据所述单位存储单元的宽度采用相邻单位存储单元对比扫描方式对划分后的所述存储区域进行扫描,获得所述存储区域的缺陷。
2.如权利要求1所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法,其特征在于,所述存储区域为静态存储区域。
3.如权利要求1所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法,其特征在于,步骤1中获得单位存储单元的宽度的具体过程为:
根据公式(1)获得所述宽度M:
M=L*K (1)
其中,M为单位存储单元的宽度;L为器件线宽;K为估算系数。
4.如权利要求3所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法,其特征在于,所述器件线宽L范围为:45nm~90nm。
5.如权利要求3所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法,其特征在于,所述估算系数K范围为:30~40。
6.如权利要求1所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法,其特征在于,步骤3中采用相邻单位存储单元对比扫描方式对所述存储区域进行扫描的具体过程为:
采用相邻单位存储单元对比扫描方式逐对扫描相邻的两个单位存储单元。
7.如权利要求6所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法,其特征在于,获得所述存储区域的缺陷的具体过程为:逐一判断每对相邻的两个所述单位存储单元的信噪比之差是否超出预设的信噪比,若是,则相邻的两个所述单位存储单元存在缺陷;若否,则相邻的两个所述单位存储单元没有缺陷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410106540.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:减速电机
- 下一篇:一种压缩机电机引出线塑壳
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造